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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113990737B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202111225217.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應(yīng)用是由段曦東;吳瑞霞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應(yīng)用在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明屬于二維材料制備和器件性能研究領(lǐng)域，具體公開(kāi)了無(wú)光刻方法來(lái)制造超短溝道WSe2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，步驟為：VCl3原料在530?580℃的揮發(fā)溫度、Se原料在360?380℃的揮發(fā)溫度下?lián)]發(fā)；揮發(fā)后的原料以載氣、600～620℃的沉積溫度下在WSe2二維材料的表面反應(yīng)沉積，隨后冷卻，沉積的相鄰VSe2的晶界裂開(kāi)形成超短溝道，制得所述的超短溝道VSe2?WSe2二維材料。本發(fā)明還包括所述的方法制得的材料以及材料的應(yīng)用。本發(fā)明方法，通過(guò)所述的材料以及工藝的聯(lián)合控制，能夠意外地在無(wú)光刻下獲得窄溝道的材料，且該方法制得的材料制成的器件具有更優(yōu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應(yīng)用在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種超短溝道VSe2-WSe2二維材料的制備方法，其特征在于：VCl3原料在530-580℃的揮發(fā)溫度、Se原料在360-380℃的揮發(fā)溫度下?lián)]發(fā)；揮發(fā)后的原料以載氣、600~620℃的沉積溫度下在WSe2二維材料的表面反應(yīng)沉積，隨后冷卻，沉積的相鄰VSe2的晶界裂開(kāi)形成超短溝道，制得溝道寬度低于100nm的超短溝道VSe2-WSe2二維材料； 所述的WSe2二維材料的平面尺寸為100~500μm； 所述的載氣為含氫氣-保護(hù)氣的混合氣，其中，保護(hù)氣的流量為80~130sccm，H2流量為1~4sccm； VCl3、Se的質(zhì)量比為1：0.5~1。

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