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龍圖騰網獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導體存儲裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114639428B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110766118.5，技術領域涉及：G11C16/34；該發明授權半導體存儲裝置是由加藤光司設計研發完成，并于2021-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體存儲裝置在說明書摘要公布了：本發明的一實施方式提供一種能抑制寫入速度的降低且能提高數據的可靠性的半導體存儲裝置。一實施方式的半導體存儲裝置包含多個存儲單元晶體管、字線、多個位線、控制器。字線連接于多個存儲單元晶體管。多個位線分別連接于多個存儲單元晶體管。控制器執行寫入動作，該寫入動作反復執行包含編程動作與驗證動作的編程循環。控制器在第1數據的驗證動作中，對字線施加第1數據的驗證高電壓的期間，判定供寫入第1數據的存儲單元晶體管是否超過第1數據的驗證高電壓，且判定供寫入第2數據的存儲單元晶體管是否超過第2數據的驗證低電壓。

本發明授權半導體存儲裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲裝置，包含： 多個存儲單元晶體管，各自能根據閾值電壓屬于多個狀態中的哪一個狀態而存儲多比特數據，在閾值電壓屬于第1狀態的情況下，存儲第1數據，在閾值電壓屬于比所述第1狀態高的第2狀態的情況下，存儲第2數據； 字線，連接于所述多個存儲單元晶體管； 多個位線，分別連接于所述多個存儲單元晶體管；及 控制器，能執行包含編程循環的反復的寫入動作，該編程循環包含編程動作與驗證動作；且 所述多個狀態中每一個狀態均設定了驗證低電壓與驗證高電壓， 作為所述控制器， 在所述編程動作中，對所述字線施加編程電壓的期間，對與第1編程對象的存儲單元晶體管連接的位線施加第1電壓，對與第2編程對象的存儲單元晶體管連接的位線施加高于所述第1電壓的第2電壓，對與編程禁止的存儲單元晶體管連接的位線施加高于所述第2電壓的第3電壓； 在所述驗證動作中，對寫入目的地的每個狀態，均將經判定閾值電壓為驗證低電壓以下的存儲單元晶體管設定為所述第1編程對象，將經判定閾值電壓超過驗證低電壓且為驗證高電壓以下的存儲單元晶體管設定為所述第2編程對象，將經判定閾值電壓超過驗證高電壓的存儲單元晶體管設定為所述編程禁止； 在所述第1數據的驗證動作中，對所述字線施加所述第1數據的驗證高電壓的期間，判定供寫入所述第1數據的存儲單元晶體管是否超過所述第1數據的驗證高電壓，且判定供寫入所述第2數據的存儲單元晶體管是否超過所述第2數據的驗證低電壓。

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