臺灣積體電路制造股份有限公司李泓緯獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利晶體管和形成半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113497156B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110696884.9，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權晶體管和形成半導體器件的方法是由李泓緯;蔣國璋;馬禮修;楊世海;林佑明設計研發完成，并于2021-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶體管和形成半導體器件的方法在說明書摘要公布了：本申請的實施例提供了一種晶體管器件及其制造方法，該晶體管器件包括：襯底；字線，設置在襯底上；柵極絕緣層，設置在字線上；雙層半導體溝道，包括：第一溝道層，設置在柵極絕緣層上；和第二溝道層，設置在第一溝道層上，使得第二溝道層接觸第一溝道層的側面和頂面；以及源電極和漏電極，電耦合至第二溝道層。當向字線施加電壓時，第一溝道層具有第一電阻，第二溝道層具有與第一電阻不同的第二電阻。根據本申請的其他實施例，還提供了形成半導體器件的方法。
本發明授權晶體管和形成半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種晶體管，包括： 襯底； 字線，設置在所述襯底上； 柵極介電層，設置在所述字線上； 雙層半導體溝道，包括： 第一溝道層，設置在所述柵極介電層上且具有第一電阻；和 第二溝道層，設置在所述第一溝道層上且具有與所述第一電阻不同的第二電阻，使得所述第二溝道層接觸所述第一溝道層的側面和頂面；以及 源電極和漏電極，電耦合至所述第二溝道層； 其中，所述第一電阻高于所述第二電阻。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號