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龍圖騰網獲悉京瓷株式會社申請的專利光檢測裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115152024B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180016936.1，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權光檢測裝置是由野口登;柳原康宏;島信之設計研發完成，并于2021-02-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本光檢測裝置在說明書摘要公布了：具備基板和多個像素部，多個像素部包含：位于有效區域內的像素部的第1光檢測元件；和位于非有效區域內的像素部的第2光檢測元件。第1光檢測元件具有第1下部電極層、第1下部雜質半導體層、第1本征半導體層、第1上部雜質半導體層以及第1上部電極層，第2光檢測元件具有第2下部電極層、第2下部雜質半導體層、第2本征半導體層、第2上部雜質半導體層以及第2上部電極層，第2下部電極層被第2下部雜質半導體層以及第2本征半導體層覆蓋。

本發明授權光檢測裝置在權利要求書中公布了：1.一種光檢測裝置，包含： 基板； 多個像素部，在所述基板上在行方向以及列方向上排列并配設成矩陣狀； 第1光檢測元件，是所述多個像素部之中、在所述基板上位于用在光檢測中的有效區域內的像素部中所具備的；和 第2光檢測元件，是所述多個像素部之中、在所述基板上位于包圍所述有效區域的不用在光檢測中的非有效區域內的像素部中所具備的， 所述第1光檢測元件具有第1下部電極層、第1下部雜質半導體層、第1本征半導體層、第1上部雜質半導體層和第1上部電極層， 所述第1下部電極層被配置于所述基板上， 所述第1下部雜質半導體層在所述第1下部電極層上在俯視下被配置于所述第1下部電極層的內側并包含第1雜質半導體， 所述第1本征半導體層被配置于所述第1下部雜質半導體層上， 所述第1上部雜質半導體層被配置于所述第1本征半導體層上并包含第2雜質半導體， 所述第1上部電極層被配置于所述第1上部雜質半導體層上， 所述第2光檢測元件具有第2下部電極層、第2下部雜質半導體層、第2本征半導體層、第2上部雜質半導體層和第2上部電極層， 所述第2下部電極層被配置于所述基板上， 所述第2下部雜質半導體層在所述第2下部電極層上覆蓋所述第2下部電極層而被配置并包含所述第1雜質半導體， 所述第2本征半導體層被配置于所述第2下部雜質半導體層上， 所述第2上部雜質半導體層被配置于所述第2本征半導體層上并包含所述第2雜質半導體， 所述第2上部電極層被配置于所述第2上部雜質半導體層上。

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