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龍圖騰網獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256182B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110016194.4，技術領域涉及：H01L23/485；該發明授權半導體裝置是由小林仁設計研發完成，并于2021-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：一種可靠性優異的半導體裝置，具備具有半導體層的半導體元件及設在半導體元件上的布線層，布線層具有第一至第三電極、絕緣膜、第一及第二電極焊盤，第一至第三電極位于半導體元件與絕緣膜之間，第二電極和第一電極焊盤絕緣，第一電極和第二電極焊盤絕緣，第一電極和第一電極焊盤電連接，第二電極和第二電極焊盤電連接，從第一電極和第一電極焊盤連接的部分的第一電極焊盤的第一面到半導體層的距離比從第二電極和第一電極焊盤絕緣的部分的第一電極焊盤的第一面到半導體層的距離大，從第二電極和第二電極焊盤連接的部分的第二電極焊盤的第一面到半導體層的距離比從第一電極和第二電極焊盤絕緣的部分的第二電極焊盤的第一面到半導體層的距離大。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具備具有半導體層的半導體元件，并在所述半導體元件上具備布線層，所述布線層在所述半導體元件上具有第一電極，在所述半導體元件上具有第二電極，在所述半導體元件上具有第三電極，在所述第一電極、第二電極以及所述第三電極上具有絕緣膜，在所述絕緣膜上具有將所述半導體元件側的相反側作為第一面的第一電極焊盤，所述布線層具有第二電極焊盤，所述第二電極焊盤在所述絕緣膜上與所述第一電極焊盤相鄰，并將所述半導體元件側的相反側作為第一面，所述第一電極、所述第二電極以及所述第三電極位于所述半導體元件與所述絕緣膜之間，所述第二電極和所述第一電極焊盤經由所述絕緣膜而絕緣，所述第一電極和所述第二電極焊盤經由所述絕緣膜而絕緣，所述第一電極和所述第一電極焊盤經由設于所述絕緣膜的第一開口部相接而電連接，所述第二電極和所述第二電極焊盤經由設于所述絕緣膜的第二開口部相接而電連接，所述第一電極焊盤連接有第一接合線，所述第二電極焊盤連接有第二接合線，在所述第一電極焊盤的連接有所述第一接合線的區域中，從所述第一電極和所述第一電極焊盤連接的部分的所述第一電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離比從所述第二電極和所述第一電極焊盤絕緣的部分的所述第一電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離大，在所述第二電極焊盤的連接有所述第二接合線的區域中，從所述第二電極和所述第二電極焊盤連接的部分的所述第二電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離比從所述第一電極和所述第二電極焊盤絕緣的部分的所述第二電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離大，從所述第一電極和所述第一電極焊盤連接的部分的所述第一電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離與從所述第二電極和所述第一電極焊盤絕緣的部分的所述第一電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離之差為1μm以上且10μm以下，從所述第二電極和所述第二電極焊盤連接的部分的所述第二電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離與從所述第一電極和所述第二電極焊盤絕緣的部分的所述第二電極焊盤的第一面到所述半導體層的距離之差為1μm以上且10μm以下。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。