買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結(jié)構的形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114695120B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011641591.2，技術領域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權半導體結(jié)構的形成方法是由張海洋;紀世良設計研發(fā)完成，并于2020-12-31向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構的形成方法，包括：提供襯底；在襯底內(nèi)形成初始凹槽，所述初始凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角具有第一曲率；在初始凹槽側(cè)壁表面和底部表面形成覆蓋層，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角為直角，或者所述第一凹槽側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角具有第二曲率，且所述第二曲率小于所述第一曲率；在覆蓋層上形成鰭部材料層，所述鰭部材料層填充滿所述第一凹槽。所述方法形成的鰭部結(jié)構性能得到提升。

本發(fā)明授權半導體結(jié)構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在襯底內(nèi)形成初始凹槽，所述初始凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角具有第一曲率； 在初始凹槽側(cè)壁表面和底部表面形成覆蓋層，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角為直角； 在覆蓋層上形成鰭部材料層，所述鰭部材料層填充滿所述第一凹槽。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.gztjhr.cn/list?keyword=%E4%B8%AD%E8%8A%AF%E5%9B%BD%E9%99%85%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%88%B6%E9%80%A0%28%E4%B8%8A%E6%B5%B7%29%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8%3B%E4%B8%AD%E8%8A%AF%E5%9B%BD%E9%99%85%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%88%B6%E9%80%A0%28%E5%8C%97%E4%BA%AC%29%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。