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龍圖騰網(wǎng)獲悉盛合晶微半導(dǎo)體(江陰)有限公司申請的專利晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113921498B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010653364.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/538；該發(fā)明授權(quán)晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及制備方法是由黃晗;林正忠;吳政達(dá);陳彥亨設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-07-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及制備方法，晶圓級封裝結(jié)構(gòu)包括具有TSV的晶圓、第一重新布線層、第二重新布線層、鍵合焊盤、芯片、保護層及封裝層。其中，通過具有TSV的晶圓以及位于晶圓相對兩面的第一重新布線層及第二重新布線層，可形成三維方向堆疊密度大、外形尺寸小的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，且可降低單一RDL的制造難度，以降低工藝復(fù)雜度及生產(chǎn)成本；通過TSV進行互連，可使得具有TSV的晶圓上下面良好導(dǎo)通，從而可大大提高芯片的速度并降低功耗，以形成具有較好的電熱性能和高效率傳輸性能的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供晶圓，所述晶圓包括相對的第一面及第二面，且所述晶圓包括若干TSV； 形成第一重新布線層，所述第一重新布線層覆蓋所述晶圓的第一面，且與所述TSV的第一端電連接； 提供支撐基底，通過分離層將所述第一重新布線層與所述支撐基底鍵合，所述分離層包括LTHC光熱轉(zhuǎn)換層； 減薄所述晶圓，以顯露所述TSV的第二端； 形成第二重新布線層，所述第二重新布線層覆蓋所述晶圓的第二面，且與所述TSV的第二端電連接； 形成鍵合焊盤，所述鍵合焊盤位于所述第二重新布線層上，且與所述第二重新布線層電連接； 提供芯片，所述芯片位于所述第二重新布線層上，且所述芯片通過芯片焊盤與所述鍵合焊盤電連接； 形成保護層，所述保護層位于所述芯片與所述第二重新布線層之間，且填充所述芯片與所述第二重新布線層之間的間隙； 形成封裝層，所述封裝層位于所述第二重新布線層上，且覆蓋所述芯片及第二重新布線層； 去除所述分離層及支撐基底，以顯露所述第一重新布線層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人盛合晶微半導(dǎo)體(江陰)有限公司，其通訊地址為：214437 江蘇省無錫市江陰市長山大道78號（經(jīng)營場所江陰市東盛西路9號）；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。