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龍圖騰網(wǎng)獲悉矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司申請(qǐng)的專利封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110767647B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201911118181.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D80/30；該發(fā)明授權(quán)封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法是由危建;代克;顏佳佳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-11-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：第一電氣連接層；芯片，位于所述第一電氣連接層上；至少一層第二電氣連接層，位于所述芯片之上，所述第一電氣連接層和第一層所述第二電氣連接層之間通過(guò)導(dǎo)電柱實(shí)現(xiàn)電連接；第一類電子元件，位于最頂層的所述第二電氣連接層的上方，所述第一類電子元件通過(guò)至少一層所述第二電氣連接層與所述第一電氣連接層實(shí)現(xiàn)電連接，其中，至少在最頂層的所述第二電氣連接層與所述第一類電子元件之間設(shè)置有第二類電子元件，以增加封裝布線的靈活性，以及提高封裝的集成度，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括至少位于第一類電子元件與最頂層的所述第二電氣連接層之間的金屬柱，以增加所述封裝結(jié)構(gòu)的散熱。

本發(fā)明授權(quán)封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)配置為模塊電源的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括： 第一電氣連接層，所述封裝結(jié)構(gòu)的外引腳位于所述第一電氣連接層的下表面； 芯片，位于所述第一電氣連接層的上表面上，所述第一電氣連接層上表面與下表面相對(duì)； 至少一層第二電氣連接層，位于所述芯片之上，所述第一電氣連接層和第一層所述第二電氣連接層之間通過(guò)導(dǎo)電柱實(shí)現(xiàn)電連接； 第一類電子元件，位于最頂層的所述第二電氣連接層的上方，所述第一類電子元件通過(guò)至少一層所述第二電氣連接層與所述第一電氣連接層實(shí)現(xiàn)電連接，其中，至少在最頂層的所述第二電氣連接層與所述第一類電子元件之間設(shè)置有第二類電子元件，所述第一類電子元件為電感元件，所述第二類電子元件為電容或電阻； 其中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括金屬柱，所述金屬柱至少位于第一類電子元件與最頂層的所述第二電氣連接層之間，以增加所述封裝結(jié)構(gòu)的散熱； 第二封裝體，用于囊封至少一層所述第二電氣連接層、所述金屬柱、以及所述第二類電子元件。

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