福建省晉華集成電路有限公司何新悅獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體存儲器結構的處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114639634B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210220490.0，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體存儲器結構的處理方法是由何新悅;劉自豪;李臻設計研發完成，并于2022-03-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲器結構的處理方法在說明書摘要公布了：本申請公開一種半導體存儲器結構的處理方法，包括以下步驟：提供所述半導體存儲器結構，所述半導體存儲器結構包括：第一隔離結構，所述第一隔離結構內形成有多個分立的位線結構；第二隔離結構，位于所述第一隔離結構上方，且所述第二隔離結構內形成有多個分立的導電結構，且每一所述位線結構上方對應設置有一所述導電結構；對所述第二隔離結構表面進行清洗，以去除在形成所述半導體存儲器結構的過程中殘留在所述第二隔離結構表面的導電顆粒，所述清洗至少包括：進行熱處理。
本發明授權半導體存儲器結構的處理方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲器結構的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：提供所述半導體存儲器結構，所述半導體存儲器結構包括： 第一隔離結構，所述第一隔離結構內形成有多個分立的位線結構； 第二隔離結構，位于所述第一隔離結構上方，且所述第二隔離結構內形成有多個分立的導電結構，且每一所述位線結構上方對應設置有一所述導電結構； 對所述第二隔離結構表面進行清洗，以去除在形成所述半導體存儲器結構的過程中殘留在所述第二隔離結構表面的導電顆粒，所述清洗至少包括： 進行熱處理，所述熱處理的氣體環境為氮氣，所述熱處理的溫度大于或等于400℃。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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