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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請(qǐng)的專利優(yōu)化多層薄膜回刻高度負(fù)載的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114496759B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210077102.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/28；該發(fā)明授權(quán)優(yōu)化多層薄膜回刻高度負(fù)載的方法是由姜林鵬;陸連;劉少雄;馮帥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本優(yōu)化多層薄膜回刻高度負(fù)載的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種優(yōu)化多層薄膜回刻高度負(fù)載的方法，提供襯底，襯底上形成有溝槽；形成覆蓋在溝槽的表面內(nèi)壁淀積形成的功能薄膜；在填充溝槽填充形成犧牲層；同步回刻蝕犧牲層和功能薄膜，被回刻蝕后的犧牲層上方的功能薄膜層暴露，使得溝槽內(nèi)上端功能薄膜的上側(cè)被刻蝕去除；去除被回刻蝕后的犧牲層；多次形成覆蓋功能薄膜的另一層功能薄膜，每一次另一層功能薄膜形成后重復(fù)步驟填充犧牲層、回刻蝕犧牲層和功能薄膜以及去除回刻蝕后的犧牲層，在溝槽的內(nèi)壁表面形成同一高度的多層功能薄膜。本發(fā)明采用在溝槽中填充犧牲層對(duì)多種填充材料進(jìn)行逐層刻蝕，為多層薄膜在高深寬比深槽內(nèi)的有效填充和構(gòu)建工藝需求提供了解決辦法。

本發(fā)明授權(quán)優(yōu)化多層薄膜回刻高度負(fù)載的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種優(yōu)化多層薄膜回刻高度負(fù)載的方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，所述襯底上形成有溝槽； 步驟二、形成覆蓋所述溝槽表面的功能薄膜； 步驟三、填充所述溝槽形成犧牲層； 步驟四、同步回刻蝕所述犧牲層和當(dāng)前最外層功能薄膜，至預(yù)定深度，以通過控制所述犧牲層的回刻蝕深度來控制所述當(dāng)前最外層功能薄膜的刻蝕深度，被回刻蝕后的所述犧牲層上方的所述功能薄膜層暴露，使得所述溝槽內(nèi)上端所述當(dāng)前最外層功能薄膜的上側(cè)被刻蝕去除； 步驟五、去除被回刻蝕后的所述犧牲層； 步驟六、在完成前一層功能薄膜的步驟五之后，多次形成覆蓋前一層所述功能薄膜的另一層功能薄膜，每一次另一層所述功能薄膜形成后均對(duì)新形成的另一層所述功能薄膜重復(fù)步驟三至步驟五，通過對(duì)每一次形成的另一層所述功能薄膜重復(fù)步驟四的刻蝕深度控制，在所述溝槽的內(nèi)壁表面形成最終高度同一高度的多層所述功能薄膜。

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