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龍圖騰網獲悉瑞礱科技股份有限公司申請的專利增強型III-V族半導體元件與其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115377215B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111326765.0，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權增強型III-V族半導體元件與其制造方法是由邱顯欽;王祥駿;邱昭瑋;何焱騰設計研發完成，并于2021-11-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本增強型III-V族半導體元件與其制造方法在說明書摘要公布了：一種增強型III?V族半導體元件及其制造方法，其包括：基板；形成于基板之上的緩沖層；形成于緩沖層的GaN的通道層；形成于通道層之上的AlGaN的阻障層；形成于阻障層之上的AlGaN的蝕刻停止層，其化學組成式為AlxGa1?xN，其中0.4＝x＝0.7，且AlGaN的蝕刻停止層對應于源極與漏極區域的厚度小于AlGaN的蝕刻停止層對應于柵極區域的厚度；形成于所述AlGaN的蝕刻停止層的柵極區域的pGaN層；以及分別形成于所述AlGaN的蝕刻停止層的源極區域與漏極區域上的源極與漏極。本發明實施例提供了增強型III?V族半導體元件具有良好晶格匹配、高元件崩潰電壓且動態電阻晶體管特性佳等優點。

本發明授權增強型III-V族半導體元件與其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種增強型III-V族半導體元件，包括： 一基板108； 形成于所述基板108之上的一緩沖層107； 形成于所述緩沖層107的一GaN的通道層106； 形成于所述通道層106之上的一AlGaN的阻障層105； 形成于所述阻障層105之上的一AlGaN的蝕刻停止層104A，其化學組成式為AlxGa1-xN，其中0.4＝x＝0.7，且所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應于源極與漏極區域的厚度小于所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應于柵極區域的厚度，且所述AlGaN的蝕刻停止層104A的蝕刻損耗原厚度為10％至90％； 形成于所述AlGaN的蝕刻停止層104A的柵極區域的一pGaN層103，其中所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應于所述pGaN層103的厚度大于所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應于所述pGaN層103至源極區域之間的厚度以及大于所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應于所述pGaN層103至漏極區域的厚度；以及 分別形成于所述AlGaN的蝕刻停止層104A的源極區域與漏極區域上的一源極100與一漏極101。

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