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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專(zhuān)利三維存儲(chǔ)器及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114121979B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202111245069.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器及其形成方法是由蘇界;鄭曉芬;張絲柳;王家成設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本三維存儲(chǔ)器及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種三維存儲(chǔ)器及其形成方法。所述三維存儲(chǔ)器的形成方法包括如下步驟：形成基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)、以及貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的柵極隔槽，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的層間絕緣層和導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層還覆蓋所述柵極隔槽的側(cè)壁和底壁；于所述柵極隔槽內(nèi)形成覆蓋所述導(dǎo)電層表面的介質(zhì)層；對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行改性處理，使得至少所述介質(zhì)層底部的刻蝕速率大于所述介質(zhì)層頂部的刻蝕速率；刻蝕掉改性后的所述介質(zhì)層、以及至少位于所述柵極隔槽側(cè)壁和底壁上的所述導(dǎo)電層。本發(fā)明減少甚至是避免了所述導(dǎo)電層在所述柵極隔槽底部的殘留，改善了柵極之間發(fā)生漏電的現(xiàn)象。

本發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種三維存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，包括如下步驟： 形成基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)、以及貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的柵極隔槽，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的層間絕緣層和導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層還覆蓋所述柵極隔槽的側(cè)壁和底壁； 于所述柵極隔槽內(nèi)形成覆蓋所述導(dǎo)電層表面的介質(zhì)層； 對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行改性處理，使得至少所述介質(zhì)層底部的刻蝕速率大于所述介質(zhì)層頂部的刻蝕速率； 刻蝕掉改性后的所述介質(zhì)層、以及至少位于所述柵極隔槽側(cè)壁和底壁上的所述導(dǎo)電層。

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