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龍圖騰網獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利一種雙極性晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120379281B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510865082.4，技術領域涉及：H10D10/40；該發明授權一種雙極性晶體管及其制造方法是由張日林;劉文虎;張擁華設計研發完成，并于2025-06-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙極性晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種雙極性晶體管及其制造方法，其中，雙極性晶體管包括發射區、基區、集電區、第一目標溝槽、第二目標溝槽、發射極、基極和集電極，其中，發射區、基區和集電區依次呈縱向排列，基區位于集電區之上，發射區位于基區之上，第一目標溝槽的側壁設置有氧化物并在溝槽內沉積多晶硅，第一目標溝槽的底部多晶硅與基區接觸，第二目標溝槽設置在第一目標溝槽的一側，第二目標溝槽的側壁設置有氧化物并在溝槽內沉積多晶硅，第二目標溝槽的底部多晶硅與集電區接觸，基極設置在第一目標溝槽表面的多晶硅上，集電極設置在第二目標溝槽表面的多晶硅上，發射極設置在第一目標溝槽的另一側的發射區的表面上。

本發明授權一種雙極性晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種雙極性晶體管，其特征在于，所述雙極性晶體管包括發射區、基區、集電區、第一目標溝槽、第二目標溝槽、發射極、基極和集電極， 其中，所述發射區、基區和集電區依次呈縱向排列，所述基區位于所述集電區之上，所述發射區位于所述基區之上，所述第一目標溝槽的側壁設置有氧化物并在溝槽內沉積多晶硅，所述第一目標溝槽的底部多晶硅與所述基區接觸，所述第二目標溝槽設置在所述第一目標溝槽的一側，所述第二目標溝槽的側壁設置有氧化物并在溝槽內沉積多晶硅，所述第二目標溝槽的底部多晶硅與所述集電區接觸， 所述基極設置在所述第一目標溝槽表面的多晶硅上，所述集電極設置在所述第二目標溝槽表面的多晶硅上，所述發射極設置在所述第一目標溝槽的另一側的所述發射區的表面上； 所述雙極性晶體管還包括柵極和第三目標溝槽，所述柵極用于通過連接不同的外部電壓來改變所述雙極性晶體管的電流放大系數， 其中，所述第三目標溝槽設置在所述第一目標溝槽的另一側，所述第三目標溝槽的側壁和底部均設置有氧化物并在溝槽內沉積多晶硅， 所述柵極設置在所述第三目標溝槽表面的多晶硅上，所述發射極設置在所述柵極和所述基極之間。

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