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龍圖騰網獲悉江蘇芯德半導體科技股份有限公司申請的專利QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120376423B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510845712.1，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構是由張灝杰;周進普;章志明;劉穎設計研發完成，并于2025-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構，采用蝕刻和沖壓相結合的工藝制作QFN引線框架，通過沖壓方式對內引腳和基島進行沖壓，使其低于外引腳，呈臺階狀，為新型的QFN封裝結構提供了一種支撐框架；不僅提高了生產效率，還降低了生產成本，為大規模生產提供了可能性。QFN封裝結構采用上下雙層引腳結構的引線框架，打破了傳統封裝焊接點位僅在同一平面的限制，有效增加了芯片內部布線空間與焊點分布空間，提高了封裝結構的集成度。本發明中引線框架的結構設計，增加了芯片的散熱面積，尤其是通過設置上下兩層引腳結構，形成了多層次的散熱網絡，大幅提高了散熱效率，有效滿足了大尺寸芯片封裝結構的散熱需求。

本發明授權QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構在權利要求書中公布了：1.QFN引線框架的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： S1、提供高強度金屬基材，采用化學蝕刻工藝在金屬基材正面形成基島和多圈引腳，多圈引腳圍設在基島周側，多圈引腳包括一圈內引腳和至少一圈外引腳，內引腳離基島最近； S2、對金屬基材進行沖壓，形成獨立的QFN引線框架；在沖壓工藝中，自QFN引線框架正面向背面方向將基島和內引腳區域向下沖壓，使得QFN引線框架具有階梯結構； 其中，基島和內引腳表面在同一平面，基島、內引腳表面與外引腳表面不在同一平面，且外引腳表面高于基島和內引腳表面； 所述基島用于貼裝半導體芯片，半導體芯片與內引腳、外引腳通過引線電性連接后；對半導體芯片和引線進行塑封形成塑封部，形成具有階梯結構的QFN封裝結構； 所述內引腳和外引腳形成上下兩層引腳結構，增加了半導體芯片內部布線空間與焊點分布空間，也形成了多層次的散熱網絡。

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