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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)的專利一種射頻開(kāi)關(guān)及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114420630B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210058557.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)一種射頻開(kāi)關(guān)及其制備方法是由裴梓任;蒙飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種射頻開(kāi)關(guān)及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種射頻開(kāi)關(guān)及其制備方法，包括：襯底，所述襯底內(nèi)具有若干深溝槽；外延層，覆蓋所述深溝槽的內(nèi)壁并延伸覆蓋所述襯底；溝槽隔離結(jié)構(gòu)，位于所述深溝槽內(nèi)并至少遮蓋所述深溝槽的開(kāi)口，以使所述深溝槽內(nèi)形成第一空氣隙；柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外延層上，且位于相鄰的所述深溝槽之間。由于所述第一空氣隙的介電常數(shù)很低，所述第一空氣隙及所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)所述襯底與所述外延層起到了很好的隔離效果，避免當(dāng)所述射頻開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)仍有信號(hào)在所述襯底上傳輸?shù)那闆r發(fā)生，使所述射頻開(kāi)關(guān)具有更好的隔離度，提升所述射頻開(kāi)關(guān)的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種射頻開(kāi)關(guān)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底內(nèi)具有若干深溝槽； 外延層，覆蓋所述深溝槽的內(nèi)壁并延伸覆蓋所述襯底； 溝槽隔離結(jié)構(gòu)，位于所述深溝槽內(nèi)并至少遮蓋所述深溝槽的開(kāi)口，以使所述深溝槽內(nèi)形成第一空氣隙； 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外延層上，每個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)均位于相鄰的兩個(gè)所述深溝槽之間。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祖沖之路1399號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。