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龍圖騰網獲悉華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利省去CLDD光罩的Nor Flash器件結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242725B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111538777.X，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權省去CLDD光罩的Nor Flash器件結構的形成方法是由申紅杰;杜怡行;王壯壯;王虎;顧林設計研發完成，并于2021-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本省去CLDD光罩的Nor Flash器件結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種省去CLDD光罩的NorFlash器件結構的形成方法，包括：提供襯底，襯底包括存儲區和外圍區；在存儲區上形成存儲柵結構；在存儲區和外圍區注入第一離子形成輕摻雜區；在外圍區上形成第一柵極結構；在存儲區上形成光刻膠層；以光刻膠層和第一柵極結構為掩膜，在外圍區內和第一柵極結構內注入第二離子，第二離子與第一離子的電學類型相反。通過直接在存儲區和外圍區注入第一離子；再以光刻膠層和第一柵極結構為掩膜，在外圍區注入第二離子時，調整第二離子的劑量，使得注入的第二離子能夠同時用于在第一柵極結構兩側形成第一源漏摻雜層、以及中和第一柵極結構內的第一離子。該制程中只需要采用光刻膠層一次光罩工藝，有效減少制程成本和制程周期。

本發明授權省去CLDD光罩的Nor Flash器件結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種省去CLDD光罩的NorFlash器件結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括存儲區和外圍區； 在所述存儲區上形成若干相互分立的存儲柵結構、以及在所述外圍區上形成柵極膜層，所述存儲柵結構包括浮柵層以及位于所述浮柵層上的控制柵層； 以若干所述存儲柵結構為掩膜，在所述存儲區和所述外圍區注入第一離子，以在所述存儲柵結構兩側的存儲區內形成輕摻雜區，所述第一離子還同步注入至所述外圍區上的所述柵極膜層內； 在形成所述輕摻雜區之后，對所述柵極膜層進行圖形化處理，在所述外圍區上形成第一柵極結構，所述第一柵極結構內具有所述第一離子，所述第一離子對所述第一柵極結構的性能會造成影響； 在所述存儲區上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋若干所述存儲柵結構，且所述光刻膠層暴露出所述第一柵極結構； 以所述光刻膠層和所述第一柵極結構為掩膜，在所述外圍區內和所述第一柵極結構內注入第二離子，在所述第一柵極結構兩側的外圍區內形成第一源漏摻雜層，所述第二離子與所述第一離子的電學類型相反；其中， 調整所述第二離子的劑量，使得注入的所述第二離子還用于中和所述第一柵極結構內的所述第一離子，以降低所述第一離子對所述第一柵極結構形成的器件結構的影響。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華虹半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區新洲路30號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。