國家納米科學中心孫向南獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉國家納米科學中心申請的專利有機熱電子晶體管及其制備方法、LUMO能級檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242892B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111444083.X，技術領域涉及：H10K10/43；該發明授權有機熱電子晶體管及其制備方法、LUMO能級檢測方法是由孫向南;孟珂;周學華設計研發完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本有機熱電子晶體管及其制備方法、LUMO能級檢測方法在說明書摘要公布了：本發明涉及有機電子學領域，具體涉及一種有機熱電子晶體管及其制備方法、LUMO能級檢測方法。本發明所述的有機熱電子晶體管包括發射極、基極及收集極；其中在所述發射極與基極之間設有絕緣層，在所述基極與收集極之間設有有機半導體層。本發明通過對現有熱電子晶體管的結構改進，首次實現熱電子晶體管在有機半導體材料的LUMO能級的檢測技術中應用。同時本發明還提供了利用該熱電子晶體管獲取熱電子能譜的方法，以及提出了從熱電子能譜中原位、精確地提取有機半導體材料的LUMO能級的方法。本發明不僅彌補了本領域研究的空白，而且為有機電子器件中電荷輸運行為的研究提供了指導。
本發明授權有機熱電子晶體管及其制備方法、LUMO能級檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種有機熱電子晶體管，包括發射極、基極及收集極；其特征在于，在所述發射極與基極之間設置絕緣層，在所述基極與收集極之間設置有機半導體層；所述發射極、絕緣層、基極、有機半導體層與收集極的厚度比例為11-13：1.5-2：10-20：100-200：12-20；所述發射極的厚度范圍在11-13nm之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人國家納米科學中心，其通訊地址為：100190 北京市海淀區中關村北一條11號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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