中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司杜杳雋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利光學鄰近修正方法及系統、掩膜版、設備及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116068839B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111271152.1，技術領域涉及：G03F1/36；該發明授權光學鄰近修正方法及系統、掩膜版、設備及存儲介質是由杜杳雋;王蘭芳設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本光學鄰近修正方法及系統、掩膜版、設備及存儲介質在說明書摘要公布了：一種光學鄰近修正方法及系統、掩膜版、設備及存儲介質，光學鄰近修正方法包括：獲取第一版圖層，包括多個第一設計圖形，任意兩個第一設計圖形之間的距離為第一間距，至少一個第一間距小于可光刻最小間距；進行版圖層拆分處理，將第一版圖層拆分為多個子版圖層，將第一設計圖形分別設置于其中一個子版圖層上，子版圖層疊加后的圖形布局與第一版圖層的圖形布局相同，在子版圖層中，任意兩個第一設計圖形之間的距離為第二間距，第二間距大于第一間距，且至少一個第二間距小于可光刻最小間距；改變子版圖層中的第一設計圖形的圖形布局，使每個子版圖層中，任意兩個第一設計圖形之間的距離均大于或等于可光刻最小間距。本發明節約了工藝成本。
本發明授權光學鄰近修正方法及系統、掩膜版、設備及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括： 獲取第一版圖層，所述第一版圖層包括多個第一設計圖形，任意兩個所述第一設計圖形之間的距離為第一間距，至少一個所述第一間距小于可光刻最小間距； 進行版圖層拆分處理，將所述第一版圖層拆分為多個子版圖層，將各個所述第一設計圖形分別設置于其中一個子版圖層上，所述多個子版圖層疊加后的圖形布局與所述第一版圖層中的圖形布局相同，在所述子版圖層中，任意兩個所述第一設計圖形之間的距離為第二間距，所述第二間距大于所述第一間距，且至少一個所述第二間距小于可光刻最小間距； 改變所述子版圖層中的第一設計圖形的圖形布局，使每個所述子版圖層中，任意兩個第一設計圖形之間的距離均大于或等于所述可光刻最小間距。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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