AGC株式會社藤井直樹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉AGC株式會社申請的專利硫化物系固體電解質及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116323478B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202180069612.4,技術領域涉及:H01B1/10;該發明授權硫化物系固體電解質及其制造方法是由藤井直樹;赤塚公章;西沢學;林英明設計研發完成,并于2021-10-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本硫化物系固體電解質及其制造方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種硫化物系固體電解質,其為鋰離子二次電池中使用的硫化物系固體電解質,在X射線衍射圖譜中,在2θ=30.3±0.5°的范圍內具有半峰寬分別為0.07°以上的峰A和峰B,它們的衍射角2θ的差為0.05°以上,具有LiaPSbHac5≤a≤7、4≤b≤6且0<c≤2,Ha為鹵素元素表示的硫銀鍺礦型的晶體結構。
本發明授權硫化物系固體電解質及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種硫化物系固體電解質,其為鋰離子二次電池中使用的硫化物系固體電解質, 具有LiaPSbHac表示的硫銀鍺礦型的晶體結構,其中,5≤a≤7、4≤b≤6且0<c≤2,Ha為鹵素元素, 在使用Cu-Kα射線的X射線衍射圖譜中,所述硫銀鍺礦型的晶體結構在2θ=30.3±0.5°的范圍內具有半峰寬分別為0.07°以上的峰A和峰B, 所述峰A和所述峰B的衍射角2θ的差為0.05°以上, 所述峰A和所述峰B為來自晶格常數相差0.02?以上的2種硫銀鍺礦型晶體結構的峰。
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