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龍圖騰網獲悉聚積科技股份有限公司申請的專利混光發光二極管裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300449B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111073074.4，技術領域涉及：H10H29/24；該發明授權混光發光二極管裝置是由梁世賢;曾偉銘設計研發完成，并于2021-09-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本混光發光二極管裝置在說明書摘要公布了：一種混光發光二極管裝置，包括第一、二、三水平導通式晶粒及第一、二型電極。各晶粒包括配置有第一型半導體的第一表面、相反于第一表面且配置有第二型半導體的第二表面及介于第一、二表面間的P?N接面。第一晶粒間隔置有貫穿第一、二表面與P?N接面的第一貫孔及兩個貫穿第二型半導體的第二貫孔。第二、三晶粒的第一表面面向第一晶粒的第一表面設于第一晶粒上方。第一型電極電性隔絕地置于第一貫孔以同時上下連接各晶粒的第一型半導體。第二型電極置于各第二貫孔與第一晶粒的第二表面以上下電連接各晶粒的第二型半導體。借所述第一型電極及所述第二型電極，使第二、三晶粒垂直配置且電連接于第一晶粒上方，以節省平面面積。

本發明授權混光發光二極管裝置在權利要求書中公布了：1.一種混光發光二極管裝置，其特征在于：包含： 第一水平導通式晶粒，包括配置有第一型半導體的第一表面、相反于該第一表面且配置有第二型半導體的第二表面、介于第一表面與第二表面間的P-N接面，及彼此間隔配置的第一貫孔與兩個第二貫孔，該第一貫孔是縱向貫穿該第一型半導體的第一表面、該P-N接面與該第二型半導體的第二表面，所述第二貫孔是縱向貫穿該第二型半導體； 第二水平導通式晶粒，包括配置有第一型半導體的第一表面，及相反于該第一表面且配置有第二型半導體的第二表面，該第二水平導通式晶粒是間隔地設置于該第一水平導通式晶粒的上方，且該第二水平導通式晶粒的第一型半導體的第一表面是面向該第一水平導通式晶粒的第一型半導體的第一表面設置； 第三水平導通式晶粒，包括配置有第一型半導體的第一表面，及相反于該第一表面且配置有第二型半導體的第二表面，該第三水平導通式晶粒是間隔地設置于該第一水平導通式晶粒的上方，且該第三水平導通式晶粒的第一型半導體的第一表面是面向該第一水平導通式晶粒的第一型半導體的第一表面設置；及 電極單元，包括第一型電極與三個第二型電極，該第一型電極是電性隔絕地配置于該第一水平導通式晶粒的第一貫孔中，以同時上下連接該第二水平導通式晶粒的第一型半導體與該第一水平導通式晶粒的第一型半導體及該第三水平導通式晶粒的第一型半導體與該第一水平導通式晶粒的第一型半導體，該三個第二型電極中的其中兩者是分別對應配置于該第一水平導通式晶粒的各第二貫孔中，以分別上下電連接該第二水平導通式晶粒的第二型半導體與該第一水平導通式晶粒的第二型半導體及該第三水平導通式晶粒的第二型半導體與該第一水平導通式晶粒的第二型半導體，且該三個第二型電極中的剩余一者是配置于該第一水平導通式晶粒的第二型半導體的第二表面并介于該第一型電極與該其中兩者第二型電極間。

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