長鑫存儲技術有限公司穆克軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115842051B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110938731.0，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種半導體器件及其制造方法是由穆克軍設計研發完成，并于2021-08-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請實施例公開了一種半導體器件，包括：襯底，所述襯底包括彼此相對的第一表面和第二表面；位于所述襯底的第一表面上的柵極；分別位于所述柵極兩側的所述襯底中的源區和漏區；位于所述襯底中的防穿通結構，所述防穿通結構包括彼此相對的第三表面和第四表面，所述第三表面靠近所述第一表面且低于所述第一表面，所述防穿通結構位于所述源區和所述漏區之間。本申請通過在襯底中的源區和漏區之間設置防穿通結構可以減少或避免短溝道效應的影響，提高器件性能。
本發明授權一種半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于， 包括： 襯底，所述襯底包括彼此相對的第一表面和第二表面； 位于所述襯底的第一表面上的柵極； 分別位于所述柵極兩側的所述襯底中的源區和漏區； 位于所述襯底中的多個防穿通結構，所述防穿通結構包括彼此相對的第三表面和第四表面，所述第三表面靠近所述第一表面且低于所述第一表面，所述防穿通結構位于所述源區和所述漏區之間；所述多個防穿通結構相對于所述柵極的中軸線成對稱分布，且所述防穿通結構與所述第一表面之間的距離沿所述中軸線至所述源區或所述漏區的方向依次遞增。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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