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龍圖騰網獲悉普列斯半導體有限公司申請的專利LED前體獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115298837B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180022870.7，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權LED前體是由A·皮諾斯;W·S·譚;金峻淵;于翔;S·阿什頓;S·梅佐阿里設計研發完成，并于2021-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本LED前體在說明書摘要公布了：提供了一種制造LED前體的方法和LED前體。通過形成具有生長表面的單片生長堆疊并在該生長表面上形成單片LED堆疊來制造LED前體。該單片生長堆疊包括包含III族氮化物的第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層。第二半導體層包括含有施主摻雜劑的第一III族氮化物，使得第二半導體層具有至少5×1018cm?3的施主密度。第二半導體層具有至少15％的面積孔隙率和第一面內晶格常數。第三半導體層包括不同于第一III族氮化物的第二III族氮化物。單片生長堆疊包括包含第三半導體層的平臺結構，使得生長表面包括第三半導體層的平臺表面和圍繞平臺表面的第三半導體層的側壁表面。第三半導體層的側壁表面相對于平臺表面傾斜。第三半導體層的平臺表面具有大于第一面內晶格常數的第二面內晶格常數。

本發明授權LED前體在權利要求書中公布了：1.一種制造LED前體的方法，包括： 形成具有生長表面的單片生長堆疊；以及 在所述單片生長堆疊的生長表面上形成單片LED堆疊， 其中： a形成所述單片生長堆疊包括： 形成包括III族氮化物的第一半導體層； 在所述第一半導體層上形成第二半導體層，所述第二半導體層包括含有施主摻雜劑的第一III族氮化物，使得所述第二半導體層具有至少5×1018cm-3的施主密度； 在所述第二半導體層的與所述第一半導體層相反的一側上形成第三半導體層，其中，所述第三半導體層提供所述單片生長堆疊的生長表面，所述第三半導體層包括不同于所述第一III族氮化物的第二III族氮化物，使得所述第三半導體層在壓縮應變下形成在所述第二半導體層上；以及 從所述生長表面穿過所述第三半導體層的厚度選擇性地去除所述第三半導體層的一部分，使得所述單片生長堆疊的生長表面包括第三半導體層的平臺表面和圍繞所述平臺表面的所述第三半導體層的側壁表面， 其中，在形成所述第三半導體層之后： 對所述第二半導體層進行孔隙率處理，以將所述第二半導體層的面積孔隙率增加到至少15％；以及 將所述第三半導體層加熱到應變松弛溫度，使得所述第三半導體層松弛，使得所述平臺表面的面內晶格常數增加；以及 b形成所述單片LED堆疊包括： 在所述單片生長堆疊的生長表面上形成包括III族氮化物的第四半導體層，使得所述第四半導體層覆蓋所述第三半導體層的平臺表面； 在所述第四半導體層上形成有源層，所述有源層包括多個量子阱層，每個量子阱層包括III族氮化物； 在所述有源層上形成包括III族氮化物的p型半導體層。

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