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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116325170B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080106313.9，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體裝置是由田渕慎一;阿多保夫設計研發完成，并于2020-10-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及的半導體裝置具有：第1導電型的第1半導體層；第2半導體層，其設置于第1半導體層的上表面，呈第1導電型，雜質濃度比第1半導體層低；阱區域，其在有源區域設置于第2半導體層的上表面側，呈第2導電型；源極區域，其設置于阱區域的上表面側，呈第1導電型；柵極電極，其設置于高濃度區域和阱區域的正上方，該高濃度區域在末端區域設置于第2半導體層的上表面側，呈第2導電型，雜質濃度比阱區域高；以及源極電極，其與源極區域及高濃度區域電連接，第1半導體層的雜質濃度大于或等于4×1018cm?3，厚度大于或等于4μm。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具有： 半導體層，其具有形成有MOSFET的有源區域和在俯視觀察時將所述有源區域包圍的末端區域； 柵極電極，其設置于所述半導體層的上表面； 源極電極，其設置于所述半導體層的上表面；以及 漏極電極，其設置于所述半導體層的與上表面相反側的面， 所述半導體層具有： 第1導電型的基板； 第1半導體層，其設置于所述基板的上表面，呈所述第1導電型，雜質濃度比所述基板高； 第2半導體層，其設置于所述第1半導體層的上表面，呈所述第1導電型，雜質濃度比所述第1半導體層低； 阱區域，其在所述有源區域設置于所述第2半導體層的上表面側，呈第2導電型； 源極區域，其設置于所述阱區域的上表面側，呈所述第1導電型；以及 高濃度區域，其在所述末端區域設置于所述第2半導體層的上表面側，呈所述第2導電型，雜質濃度比所述阱區域高， 所述柵極電極設置于所述阱區域的正上方， 所述源極電極與所述源極區域及所述高濃度區域電連接， 所述第1半導體層的雜質濃度大于或等于4×1018cm-3，厚度大于或等于4μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。