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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114664936B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210324608.4，技術領域涉及：H10D64/23；該發明授權半導體器件及其制造方法是由楊育佳;江宏禮;許志成;王菘豊;陳奕升;徐志安設計研發完成，并于2017-07-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：半導體器件包括場效應晶體管FET。FET包括第一溝道、第一源極和第一漏極；第二溝道、第二源極和第二漏極；以及設置在第一溝道和第二溝道上方的柵極結構。該柵極結構包括柵極介電層和柵電極層。第一源極包括第一晶體半導體層并且第二源極包括第二晶體半導體層。第一源極和第二源極通過由一種或多種IV族元素和一種或多種過渡金屬元素制成的合金層連接。第一晶體半導體層未與第二晶體半導體層直接接觸。本發明的實施例還涉及制造半導體器件的方法。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種包括場效應晶體管FET的半導體器件，所述場效應晶體管是鰭式場效應晶體管，所述鰭式場效應晶體管包括： 第一溝道、第一源極和第一漏極； 第二溝道、第二源極和第二漏極；以及 柵極結構，設置在所述第一溝道和所述第二溝道上方，所述柵極結構包括柵極介電層和柵電極層； 突出于半導體襯底的第一鰭和第二鰭，其中： 所述第一溝道和所述第二溝道、所述第一源極和所述第二源極以及所述第一漏極和所述第二漏極從所述半導體襯底上形成的絕緣層突出， 所述第一源極包括第一晶體半導體層并且所述第二源極包括第二晶體半導體層，所述第一晶體半導體層包括在所述第一鰭的一部分上形成的不同晶體半導體材料的一層或多層， 所述第一源極和所述第二源極通過由一種或多種IV族元素和一種或多種過渡金屬元素制成的合金層連接并且與所述合金層連接，第二空隙設置在所述合金層的底部和所述絕緣層的上表面之間，所述第一源極和所述第二源極具有底切，和 所述第一晶體半導體層未與所述第二晶體半導體層直接接觸，并且 所述合金層完全覆蓋所述第一晶體半導體層以及所述第二晶體半導體層， 其中，所述合金層具有位于所述第一晶體半導體層以及所述第二晶體半導體層之間的中間部分，所述中間部分具有分別靠近所述第一晶體半導體層和所述第二晶體半導體層的第一傾斜底面和第二傾斜底面，所述第一傾斜底面和所述第二傾斜底面分別與所述第一源極和所述第二源極的底切共形，所述中間部分的頂面的最低點高于所述第一鰭和所述第二鰭的頂點，一個或多個第一空隙形成在所述合金層的所述中間部分中并且被所述合金層封閉式圍繞。

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