華中科技大學徐明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種導電橋閾值轉換器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113921710B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111162238.0，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種導電橋閾值轉換器件及其制備方法是由徐明;麥賢良;辜融川;繆向水設計研發完成，并于2021-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種導電橋閾值轉換器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于微電子技術領域，具體公開了一種導電橋閾值轉換器件及其制備方法，該導電橋閾值轉換器件包括半導體襯底及依次設置在所述半導體襯底上的第一金屬電極層、功能介質層和第二金屬電極層；所述功能介質層包括開關介質層和相變材料層，所述開關介質層用于在電流或電壓激勵下形成導電絲，所述相變材料層在一定條件下能夠通過分相形成兩種不同電導率或不同離子滲透率的材料以誘導所述導電絲的生長，而所述開關介質層在該條件下不會發生相變。本發明導電橋閾值轉換器件在傳統平面堆疊結構的功能介質層中添加一層特殊的相變材料，利用相變材料的分相特性，減少導電絲生長的隨機性，抑制活性金屬離子的過度注入，從而提高器件的開關性能。
本發明授權一種導電橋閾值轉換器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種導電橋閾值轉換器件，其特征在于，包括： 半導體襯底及依次設置在所述半導體襯底上的第一金屬電極層、功能介質層和第二金屬電極層； 所述功能介質層包括開關介質層和相變材料層，所述開關介質層用于在電流或電壓激勵下形成導電絲，所述相變材料層在制備過程中升溫至分相溫度，使得所述相變材料層發生分相，形成兩種不同電導率或不同離子滲透率的材料以誘導所述導電絲的生長，而所述開關介質層在該條件下不會發生相變。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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