鎧俠股份有限公司大久保拓郎獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113972144B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110214693.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/56;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由大久保拓郎;林秀和設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-02-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法是將第1半導(dǎo)體襯底與第2半導(dǎo)體襯底貼合而形成積層體,在設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體襯底的外周部與所述第2半導(dǎo)體襯底的外周部間的間隙,嵌入具有第1粘度的第1填充材,將所述第1填充材嵌入所述間隙后,以與所述第1填充材相鄰的方式將第2填充材嵌入所述間隙,并使所述第2半導(dǎo)體襯底變薄,其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于: 將第1半導(dǎo)體襯底與第2半導(dǎo)體襯底貼合而形成積層體; 對設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體襯底的外周部與所述第2半導(dǎo)體襯底的外周部間的間隙,嵌入具有第1粘度的第1填充材; 將所述第1填充材嵌入所述間隙后,以與所述第1填充材相鄰的方式將第2填充材嵌入所述間隙,其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度; 使所述第2半導(dǎo)體襯底變薄;且 所述間隙包含:第1間隙部以及第2間隙部,在所述積層體的剖視時,所述第2間隙部比所述第1間隙部厚; 所述第1填充材嵌入所述第1間隙部,所述第2填充材嵌入所述第2間隙部。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人鎧俠股份有限公司,其通訊地址為:日本東京;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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