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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114765171B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110047083.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B10/00；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法是由楊宗祐;李信宏;曹瑞哲;邱達偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法，其中該半導體結(jié)構(gòu)包含一基底，具有一第一區(qū)域和在所述第一區(qū)域周圍的一第二區(qū)域；至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一區(qū)域內(nèi)；至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二區(qū)域內(nèi)；一第一隔離溝槽，設(shè)置在所述第一區(qū)域內(nèi)并鄰近所述至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)；一第一溝槽隔離層，設(shè)置在所述第一隔離溝槽中；一第二隔離溝槽，設(shè)置在所述第一區(qū)域周圍并位于所述至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)與所述至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)之間，其中所述第二隔離溝槽的底面具有一階梯落差；以及一第二溝槽隔離層，設(shè)置在所述第二隔離溝槽中。

本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含： 基底，具有第一區(qū)域和在所述第一區(qū)域周圍的第二區(qū)域； 至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一區(qū)域內(nèi)； 至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二區(qū)域內(nèi)； 第一隔離溝槽，設(shè)置在所述第一區(qū)域內(nèi)并鄰近所述至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)； 第一溝槽隔離層，設(shè)置在所述第一隔離溝槽中； 第二隔離溝槽，設(shè)置在所述第一區(qū)域周圍并位于所述至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)與所述至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)之間，其中所述第二隔離溝槽的底面具有階梯落差；以及 第二溝槽隔離層，設(shè)置在所述第二隔離溝槽中， 其中，所述底面包含在所述第一區(qū)域內(nèi)的第一表面和在所述第二區(qū)域內(nèi)的第二表面，其中所述第一表面低于所述第二表面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人聯(lián)華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。