阿里巴巴達摩院(杭州)科技有限公司高然獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉阿里巴巴達摩院(杭州)科技有限公司申請的專利量子器件的制備方法、超導電路及量子芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115568276B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211215563.3，技術領域涉及：H10N60/01；該發明授權量子器件的制備方法、超導電路及量子芯片是由高然;鄧純青設計研發完成，并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本量子器件的制備方法、超導電路及量子芯片在說明書摘要公布了：本發明公開了一種量子器件的制備方法、超導電路及量子芯片。其中，該方法包括：依次在襯底的不同區域上得到多個超導材料層，其中，多個超導材料層分別包括沉積在襯底上的超導材料以及覆蓋在對應超導材料上的硬掩膜，多個超導材料層中的超導材料包括具有動力學電感的超導材料；刻蝕掉多個超導材料層上的硬掩膜，得到集成在襯底上的多個目標電路元件；基于多個目標電路元件制備目標量子器件。本發明解決了難以實現超導量子器件的制備的技術問題。
本發明授權量子器件的制備方法、超導電路及量子芯片在權利要求書中公布了：1.一種量子器件的制備方法，其特征在于，包括： 依次在襯底的不同區域上得到多個超導材料層，其中，所述多個超導材料層分別包括沉積在所述襯底上的超導材料以及覆蓋在對應超導材料上的硬掩膜，所述多個超導材料層中的超導材料包括具有動力學電感的超導材料； 刻蝕掉所述多個超導材料層上的硬掩膜，得到集成在所述襯底上的多個目標電路元件； 基于所述多個目標電路元件制備目標量子器件； 其中，所述基于所述多個目標電路元件制備目標超導器件，包括：確定所述襯底上的結區和歐姆接觸區；采用陰影蒸發方法，在所述結區蒸發沉積約瑟夫森結和在所述歐姆接觸區蒸發沉積歐姆接觸，得到作為所述目標超導器件的超導量子比特。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人阿里巴巴達摩院(杭州)科技有限公司，其通訊地址為：310023 浙江省杭州市余杭區五常街道文一西路969號3幢5層516室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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