無錫華潤上華科技有限公司劉群獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利浮置接觸孔的形成方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115799164B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111056393.4，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權浮置接觸孔的形成方法及半導體器件是由劉群;張松;周耀輝;王德進;朱文明設計研發完成，并于2021-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本浮置接觸孔的形成方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種浮置接觸孔的形成方法及半導體器件，所述方法包括：獲取襯底，襯底上形成有隧道氧化層和多個柵極；形成金屬硅化物阻擋層；形成自對準金屬硅化物；形成層間介質層；在層間介質層上光刻得到光刻膠圖案，光刻膠圖案包括浮置接觸孔中間的小膠條；以光刻膠圖案為刻蝕掩膜層，刻蝕浮置接觸孔。本發明通過控制曝光條件得到厚度比其余保留的光刻膠更小的膠條，浮置接觸孔的刻蝕速率被該小膠條減緩，因此金屬硅化物阻擋層無需做厚就能保證浮置接觸孔底部的氧化層有足夠厚度從而確保足夠的器件耐壓，而厚度小的金屬硅化物阻擋層有利于避免在小線寬的邏輯器件存儲器的相鄰柵極之間形成空洞，從而可以達到最小面積和最優的經濟收益。
本發明授權浮置接觸孔的形成方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種浮置接觸孔的形成方法，包括： 獲取襯底，所述襯底上形成有隧道氧化層和多個柵極； 沉積、光刻并刻蝕金屬硅化物阻擋層，從而使所述隧道氧化層上、所述柵極上及相鄰的柵極之間形成金屬硅化物阻擋層； 在未形成金屬硅化物阻擋層的位置形成自對準金屬硅化物； 在所述柵極上、金屬硅化物阻擋層上及自對準金屬硅化物上形成層間介質層； 在所述層間介質層上涂覆光刻膠，通過接觸孔光刻版對所述光刻膠進行曝光然后顯影，得到光刻膠圖案；所述接觸孔光刻版包括浮置接觸孔圖形，所述浮置接觸孔圖形包括光刻膠保留區，所述光刻膠保留區的透光性與浮置接觸孔圖形的其余區域的透光性相反，所述其余區域曝光對應的光刻膠圖案在顯影時被去除，所述曝光通過控制曝光條件使所述光刻膠保留區曝光對應的光刻膠圖案在顯影時被部分去除； 以所述光刻膠圖案為刻蝕掩膜層，刻蝕所述層間介質層和金屬硅化物阻擋層，得到浮置接觸孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新洲路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號