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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利一種基于離散點迭代分析輪廓演變的三維微結構刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119833378B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510301429.2，技術領域涉及：H01J37/302；該發明授權一種基于離散點迭代分析輪廓演變的三維微結構刻蝕方法是由石峰;周港;彭星;田野;鞏保啟;郭雙鵬設計研發完成，并于2025-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于離散點迭代分析輪廓演變的三維微結構刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于離散點迭代分析輪廓演變的三維微結構刻蝕方法，包括首先在待刻蝕樣件的表面鍍制掩膜；根據待刻蝕樣件的期望結構建立坐標系，針對當前時刻的待刻蝕點集合中的每一個待刻蝕點分別計算其單位切線角度、實際束流入射角度、實際刻蝕因數，并以d t為時間增量，根據當前時刻的待刻蝕點集合計算下一時刻的待刻蝕點集合的待刻蝕點坐標，重復迭代直至下一時刻的待刻蝕點集合滿足期望值；然后將待刻蝕樣件放入反應離子束刻蝕設備，根據各個待刻蝕點的實際束流入射角度和實際刻蝕因數，依次對各個待刻蝕點進行反應離子束刻蝕加工。本發明旨在實現基于反應離子束刻蝕工藝的三維微結構刻蝕，提升三維微結構的制造精度。

本發明授權一種基于離散點迭代分析輪廓演變的三維微結構刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種基于離散點迭代分析輪廓演變的三維微結構刻蝕方法，其特征在于包括下述步驟： S1，在待刻蝕樣件的表面鍍制圖形化的掩膜；根據待刻蝕樣件的期望結構建立坐標系，并確定期望結構的輪廓點坐標集，其中～為第1～個期望結構的輪廓點坐標； S2，確定刻蝕因數并選擇離子入射角，刻蝕因數為三維微結構側壁與基面的夾角； S3，根據離子入射角與掩膜的結構參數確定離子輻照區長度，將離子輻照區長度均勻分為個離散的待刻蝕點～，從而確定當前時刻的待刻蝕點集合； S4，為當前時刻的待刻蝕點集合的刻蝕區域邊界處確定刻蝕邊界控制點； S5，計算當前時刻的待刻蝕點集合中各個待刻蝕點的單位切線角度； S6，根據單位切線角度計算當前時刻的各個待刻蝕點的實際束流入射角度； S7，根據實際束流入射角度確定當前時刻的各個待刻蝕點的實際刻蝕因數； S8，根據當前時刻t的待刻蝕點的坐標，以d t為時間增量，計算下一時刻的待刻蝕點集合中個待刻蝕點的坐標～； S9，判斷下一時刻的待刻蝕點集合中各待刻蝕點的坐標與期望結構的輪廓點坐標集中對應的輪廓點坐標之間距離是否滿足要求，若滿足要求，則記錄所有待刻蝕點的總駐留時間，跳轉步驟S10；否則，將下一時刻的待刻蝕點集合作為新的當前時刻的待刻蝕點集合，跳轉步驟S4； S10，將待刻蝕樣件放入反應離子束刻蝕設備，根據預設的離子源束流密度、束流總加速電壓以及各個待刻蝕點的實際束流入射角度、實際刻蝕因數和總駐留時間，依次對各個待刻蝕點進行反應離子束刻蝕加工； S11，對待刻蝕樣件的刻蝕深度進行檢測，如果待刻蝕樣件的刻蝕深度尚未達到要求，則跳轉步驟S3；否則，結束并退出。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。