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龍圖騰網獲悉安徽烯宇科技有限公司申請的專利一種納米銀線-銅線梯度分布電磁屏蔽膜及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115768096B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211602791.6，技術領域涉及：H05K9/00；該發明授權一種納米銀線-銅線梯度分布電磁屏蔽膜及制備方法是由甘李;李建軍;向俊橋;周明設計研發完成，并于2022-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種納米銀線-銅線梯度分布電磁屏蔽膜及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及電磁屏蔽膜制備技術領域，且公開了一種納米銀線?銅線梯度分布電磁屏蔽膜及制備方法，通過雙槽電沉積方法和熔融法制備得到了成分比例可控的一維交替型梯度分布納米銀線?銅線陣列，其長度范圍在1μm?100μm、直徑范圍在40?60nm，以其作為屏蔽材料，以聚氯乙烯PVC、聚酯膜或玻璃膜中的一種為基底材料，制備得到的電磁屏蔽膜在550nm波長處的光學透過率在80％以上、電磁屏蔽性能在20?30dB。本發明在克服了銀納米線高成本和銅納米線透光性能差的同時，實現了同時保持優秀透光性能和電磁屏蔽性能的優異技術效果。

本發明授權一種納米銀線-銅線梯度分布電磁屏蔽膜及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種納米銀線-銅線梯度分布電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟一，分別采用去離子水、無水乙醇洗滌基底材料，去除表面的污漬，之后超聲振動； 步驟二，通過雙槽電沉積方法和熔融法制備成分比例可控的長度50μm、直徑50nm且呈一維交替型梯度分布的納米銀線-銅線陣列，把該納米銀線-銅線陣列配制成濃度為0.1-5mgmL的無水乙醇懸浮液，超聲振蕩，使其在溶劑中分散均勻； 步驟三，將步驟一中的基底材料垂直固定于提拉機的工作手臂上，以浸漬速度為40-80mmmin移動基底使其浸漬到步驟二中的懸浮液中，當基底材料完全浸在懸浮液中時，靜置，基底材料開始以提升速度為80-120mmmin離開懸浮液，完全脫離溶液后，自然干燥，將浸漬過程重復三次，之后真空干燥至恒重，得到納米銀線-銅線梯度分布電磁屏蔽膜； 雙槽電沉積方法為： 步驟1，將銀的電沉積液倒入Ag電沉淀槽，讓帶有氧化鋁膜的陰極在Ag電沉淀槽中沉淀銀納米線； 步驟2，取出步驟1中氧化鋁膜的納米孔道中沉積有銀納米線的陰極，放入去離子水中浸泡清洗，將銀的電沉積液清理干凈； 步驟3，將銅的電沉積液倒入Cu電沉淀槽，讓步驟2中清洗之后的陰極在Cu電沉淀槽中沉淀銅納米線； 步驟4，取出步驟3中氧化鋁膜的納米孔道中沉積有銀納米線-銅納米線的陰極，放入去離子水中浸泡清洗，將銅的電沉積液清理干凈； 重復上述步驟1、步驟2、步驟3、步驟4的制備過程50-200次，交替沉積納米銀線和納米銅線； 銀納米線的沉積條件為：室溫下沉積電壓、0.5V；沉積電流、1.25mAcm2；沉淀時間、10-50s；沉淀長度、100-500nm； 銅納米線的沉積條件為：室溫下沉積電壓、1.2V；沉積電流、1.75mAcm2；沉淀時間、20-100s；沉淀長度、100-500nm。

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