杭州富芯半導體有限公司沈志欽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利半導體結構的制備方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115513122B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211313541.0，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構是由沈志欽設計研發完成，并于2022-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制備方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體結構制備方法，包括：形成溝槽于半導體襯底中；形成氧化層于半導體襯底的表面上以及溝槽的底部和側壁；透過干法刻蝕部份刻蝕氧化層而形成氧化區，其中氧化區為階梯狀結構；部分刻蝕氧化區以暴露半導體襯底的邊緣的表面，刻蝕后氧化區作為氧化隔離結構。透過半導體結構制備方法所制成的氧化隔離結構能適應納米電子零件的隔離結構，而不會影響納米電子零件的運作并減少有源區面積的應用。
本發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括步驟： 形成溝槽T1于半導體襯底10中； 形成氧化層OL1于所述半導體襯底10的表面上以及所述溝槽T1的底部和側壁； 通過干法刻蝕部分刻蝕所述氧化層OL1，形成多層氧化子層，將所述多層氧化子層作為氧化區OR1，其中所述氧化區OR1為階梯狀結構；以及 通過干法刻蝕部分刻蝕所述多層氧化子層，以圓滑化所述多層氧化子層并減薄所述多層氧化子層中靠近所述半導體襯底10的表面的所述氧化子層；以及 通過濕法刻蝕部分刻蝕所述多層氧化子層中靠近所述半導體襯底10的表面的所述氧化子層，以暴露所述半導體襯底10的邊緣的表面，刻蝕后所述氧化區OR1作為氧化隔離結構20。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州富芯半導體有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市濱江區西興街道聯慧街6號1-1301；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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