長江存儲科技有限責任公司陳赫獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115223866B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210786119.0，技術領域涉及：H01L21/324；該發明授權半導體器件及其形成方法是由陳赫;華子群設計研發完成，并于2022-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種半導體器件及其形成方法，所述方法包括：提供襯底；向所述襯底的第一深度區間內注入第一摻雜離子，形成第一摻雜層；高溫激活所述第一摻雜層，形成漏極層；向所述襯底的第二深度區間內注入第二摻雜離子，形成第二摻雜層；所述第二深度區間與所述第一深度區間不重疊；高溫激活所述第二摻雜層，形成源極層；刻蝕所述源極層、所述漏極層以及所述源極層和所述漏極層之間的襯底，形成溝道柱陣列；所述溝道柱陣列包括多個晶體管溝道柱；所述晶體管溝道柱的兩端分別包括源極和漏極；在所述溝道柱陣列的多個溝道柱的源極上形成互不連接的多個存儲電容。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供襯底；所述襯底具有第一表面和第二表面； 向所述襯底的第一深度區間內注入第一摻雜離子，形成第一摻雜層； 高溫激活所述第一摻雜層，形成漏極層； 向所述襯底的第二深度區間內注入第二摻雜離子，形成第二摻雜層；所述第二深度區間與所述第一深度區間不重疊； 高溫激活所述第二摻雜層，形成源極層； 刻蝕所述源極層、所述漏極層以及所述源極層和所述漏極層之間的襯底，形成溝道柱陣列；所述溝道柱陣列包括多個晶體管溝道柱；所述晶體管溝道柱的兩端分別包括源極和漏極； 在所述溝道柱陣列的多個溝道柱的源極上形成互不連接的多個存儲電容。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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