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龍圖騰網獲悉北京科技大學申請的專利銀基硫族金屬絕緣體相變柔性半導體熱敏傳器與應用技術獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115096935B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210530390.8，技術領域涉及：G01N25/20；該發明授權銀基硫族金屬絕緣體相變柔性半導體熱敏傳器與應用技術是由陳吉堃;于誼平;張秀蘭設計研發完成，并于2022-05-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本銀基硫族金屬絕緣體相變柔性半導體熱敏傳器與應用技術在說明書摘要公布了：本發明屬于微區熱擾動、紅外信號、電磁信號等能量微擾動探測等領域，具體地涉及一種銀基硫族金屬絕緣體相變柔性半導體熱敏傳器與應用技術。本發明使用銀基硫族化合物作為溫度敏感材料，通過材料組分設計其熱敏電阻系數、塞貝克系數、金屬絕緣體相變特性，并通過精密機加工將其制作成柔性自支撐膜、絲低維材料用以進一步制作成分立式器件或陣列式器件。綜合銀基硫族化合負阻溫系數熱敏電阻特性、金屬絕緣體相變、塞貝克系數，實現溫度傳感、熱開關、高精度熱擾動探測應用。本發明所提供技術方法在溫度智能傳感、紅外探測、熱擾動探測、熱開關、浪涌電流抑制方面具有可觀的應用價值，并可實現器件的柔性化。

本發明授權銀基硫族金屬絕緣體相變柔性半導體熱敏傳器與應用技術在權利要求書中公布了：1.一種銀基硫族金屬絕緣體相變柔性半導體熱敏傳感器，涉及半導體熱敏熱電復合傳感器的敏感電阻材料與器件，其特征在于，綜合銀基硫族化合物在室溫附近的高熱敏電阻系數、高塞貝克系數、良好延展性三方面優勢，以銀基硫族化合物作為溫度、熱擾動敏感材料；首先，銀基硫族金屬絕緣體相變半導體利用銀基硫族化合物作為溫度敏感材料，結合探測需求對銀基硫族化合物的材料組分進行設計，從而調控其室溫附近熱敏電阻系數、塞貝克系數、金屬絕緣體相變特性，以及材料延展性；其次，通過精密機加工方法將所制備銀基硫族化合物加工成具有柔性自支撐結構的膜、絲低維材料；最后，將所制備具有柔性結構和自支撐結構的銀基硫族化合物敏感材料膜或絲制備成陣列式器件結構器件；所制備器件可綜合銀基硫族化合物絕緣體相的負阻溫系數熱敏電阻特性和特征溫度觸發下的金屬絕緣體相變特性實現溫度傳感與熱開關兩種功能特性的協同應用；此外，綜合銀基硫族化合物在室溫附近較高的塞貝克系數與熱敏電阻系數，可協同基于熱敏電阻效應的有源探測與基于塞貝克效應的無源探測兩種方法，進一步降低對熱擾動信號的探測噪聲； 所述銀基硫族金屬絕緣體相變半導體在特征溫度觸發下具有可逆的金屬絕緣體相轉變特性，其功能特性表現為材料電阻率在特征溫度以下其電輸運特性呈現負阻溫系數熱敏電阻特性，所實現的負阻溫熱敏電阻系數與傳統NTC熱敏電阻相當；當溫度升高至金屬絕緣體相變溫度后，材料電阻率發生可逆突變并降低超過一個數量級；相變過程中，銀基硫族化合物的晶體結構從特征溫度以下的鋸齒形褶皺層狀單斜結構可逆轉變為體心立方結構；通過對銀原子位的正一價元素取代或硫原子位的其它第六主族元素取代，可以實現對相變溫度在260-460K溫區范圍的調控，并在室溫附近溫度區間同時實現高塞貝克系數和高熱敏電阻系數； 所述銀基硫族金屬絕緣體相變半導體為以Ag2S為母相的合金化合物，其中銀原子位可由正一價元素部分取代，而硫原子位可由其它第六主族元素部分取代；其化學式為Ag2- xMxS1-yCy，其中M為一價元素，C為除硫元素以外的第六主族元素；所述銀基硫族金屬絕緣體相變半導體具有良好的延展性，能夠在室溫下通過鍛造、擠壓、拉拔方法實現材料的加工； 所述M為Cu、Sn，x取值0.01-0.5；所述C為Se、Te，y取值0.01-0.5。

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