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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團公司第十三研究所申請的專利一種氧化鎵二極管器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114743875B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210470510.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/01；該發(fā)明授權(quán)一種氧化鎵二極管器件及其制備方法是由王元剛;呂元杰;敦少博;卜愛民;韓婷婷;劉宏宇;馮志紅設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種氧化鎵二極管器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請適用于半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種氧化鎵二極管器件及其制備方法，該制備方法包括：在氧化鎵外延層上制備預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)掩膜層；以水平面為基準，將氧化鎵襯底分別向兩個相反的方向旋轉(zhuǎn)第一傾斜角度和第二傾斜角度，對位于介質(zhì)掩膜層覆蓋的的氧化鎵外延層進行刻蝕，第一傾斜角度和第二傾斜角度均小于90°；在氧化鎵外延層和介質(zhì)掩膜層上制備預(yù)設(shè)形狀的聚酰亞胺層；去除介質(zhì)掩膜層，在氧化鎵外延層上與介質(zhì)掩膜層對應(yīng)的區(qū)域，以及在所述聚酰亞胺層上靠近所述介質(zhì)掩膜層的區(qū)域上表面形成NiO層；在NiO層上形成第一電極層；在氧化鎵襯底下表面形成第二電極層。本申請能夠較容易實現(xiàn)氧化鎵正磨角終端結(jié)構(gòu)，提升器件耐壓性。

本發(fā)明授權(quán)一種氧化鎵二極管器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種氧化鎵二極管器件的制備方法，其特征在于，包括： 在所述氧化鎵外延層上制備預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)掩膜層，部分所述氧化鎵外延層未被所述介質(zhì)掩膜層覆蓋；所述氧化鎵外延層形成于氧化鎵襯底的上表面； 以水平面為基準，將所述氧化鎵襯底分別向兩個相反的方向旋轉(zhuǎn)第一傾斜角度和第二傾斜角度，對位于所述介質(zhì)掩膜層覆蓋的的氧化鎵外延層進行刻蝕，所述第一傾斜角度和所述第二傾斜角度均小于90°； 在所述氧化鎵外延層和所述介質(zhì)掩膜層上制備預(yù)設(shè)形狀的聚酰亞胺層，且部分所述介質(zhì)掩膜層未被所述聚酰亞胺層覆蓋； 去除所述介質(zhì)掩膜層，在所述氧化鎵外延層上與所述介質(zhì)掩膜層對應(yīng)的區(qū)域，以及在所述聚酰亞胺層上靠近所述介質(zhì)掩膜層的區(qū)域上表面形成NiO層； 在所述NiO層上形成第一電極層； 在所述氧化鎵襯底下表面形成第二電極層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團公司第十三研究所，其通訊地址為：050051 河北省石家莊市合作路113號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。