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龍圖騰網獲悉美商旭明國際股份有限公司;信越化學工業株式會社申請的專利在半導體發光裝置與成長基板間的轉角上隔離層移除方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115148862B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210326586.5，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權在半導體發光裝置與成長基板間的轉角上隔離層移除方法是由朱振甫;詹士凱;施逸豐;段忠;段大衛;小川敬典;近藤和紀;小材利之;松本展明;北川太一設計研發完成，并于2022-03-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本在半導體發光裝置與成長基板間的轉角上隔離層移除方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體發光裝置及其制造方法，所述方法包含形成具有側壁P?N接面的多個發光二極管結構于一成長基板上，及形成一隔離層于發光二極管結構上，LED結構于所述外延結構與成長基板的交叉處具有轉角。此方法亦包含形成一可刻蝕的覆蓋通道層于隔離層上，形成一圖案化保護層于覆蓋通道層上，使用一第一刻蝕工藝形成刻蝕通道于覆蓋通道層中，及通過使用一第二刻蝕工藝來刻蝕隔離層以移除隔離層的所述轉角。在第二刻蝕工藝以后，隔離層覆蓋所述側壁P?N接面。此方法亦可包含接合成長基板至一載體，及使用一激光剝離工藝將成長基板與所述發光二極管結構分離。

本發明授權在半導體發光裝置與成長基板間的轉角上隔離層移除方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體發光裝置的制造方法，其特征在于，包含： 形成多個發光二極管結構于一成長基板上，所述多個發光二極管結構包含具有多個側壁的多個外延結構，所述多個外延結構包含未摻雜的層、N型層，活性層及P型層； 形成一隔離層在所述多個發光二極管結構上，包含在所述多個外延結構的所述多個側壁上，所述隔離層包含在所述未摻雜的層與所述成長基板之間的多個轉角； 形成一可刻蝕的覆蓋通道層在所述隔離層上； 形成一圖案化保護層在所述覆蓋通道層上，所述覆蓋通道層具有多個與所述隔離層的所述多個轉角對準的開口； 使用一第一刻蝕工藝刻蝕在所述覆蓋通道層中的數條通道，于其中一第一刻蝕劑經由所述圖案化保護層中的所述多個開口以刻蝕掉所述覆蓋通道層的多個部分； 通過使用一第二刻蝕工藝刻蝕所述隔離層來移除所述隔離層的所述多個轉角，于其中一第二刻蝕劑經由所述多個通道以移除所述多個轉角，留下所述隔離層覆蓋所述多個P型層的側壁，所述多個活性層的側壁及所述多個N型層的側壁的部分；及 移除所述圖案化保護層與所述覆蓋通道層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美商旭明國際股份有限公司;信越化學工業株式會社，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。