三菱電機株式會社三上和人獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117040B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210242761.2，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權半導體裝置是由三上和人設計研發完成，并于2022-03-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明的目的在于針對逆并聯連接有MOSFET和SBD的半導體裝置而使熱設計變得容易。半導體裝置101具有：MOSFET芯片5，其設置于圖案31之上，自身的漏極電極及源極電極分別與圖案31及圖案32電連接；SBD芯片6，其設置于圖案33之上，自身的陰極電極及陽極電極分別與圖案33及圖案34電連接；漏極主端子7，其與圖案31連接；源極主端子8，其與圖案32連接；陰極主端子9，其與圖案33連接；以及陽極主端子10，其與圖案34連接。漏極主端子7與陰極主端子9及源極主端子8與陽極主端子10的至少一者未電連接。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其具有： 基座板； 至少1個絕緣基板，其設置于所述基座板之上； 作為導電圖案的第1圖案、第2圖案、第3圖案及第4圖案，它們在所述至少1個絕緣基板之上分離地設置； MOSFET芯片，其設置于所述第1圖案之上，自身的漏極電極及源極電極分別與所述第1圖案及所述第2圖案電連接； SBD芯片，其設置于所述第3圖案之上，自身的陰極電極及陽極電極分別與所述第3圖案及所述第4圖案電連接； 漏極端子，其與所述第1圖案連接； 源極端子，其與所述第2圖案連接； 陰極端子，其與所述第3圖案連接；以及 陽極端子，其與所述第4圖案連接， 所述漏極端子與所述陰極端子及所述源極端子與所述陽極端子的至少一者未電連接， 所述漏極端子與所述陰極端子電連接， 所述半導體裝置具有與所述第1圖案及所述第3圖案連接的第1共通端子， 從所述第1共通端子的外部連接端向所述第1圖案的電流路徑構成所述漏極端子， 從所述第1共通端子的外部連接端向所述第3圖案的電流路徑構成所述陰極端子， 所述漏極端子的配線電感大于所述陰極端子的配線電感。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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