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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114613908B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011587377.3，技術領域涉及：H10D1/68；該發明授權多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器及其制作方法是由方玲剛設計研發完成，并于2020-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種多晶硅?絕緣體?多晶硅電容器及其制作方法，其中該多晶硅?絕緣體?多晶硅電容器包含一基底，具有一電容形成區域；一第一電容介電層，設置在電容形成區域上；一第一多晶硅電極，設置在第一電容介電層上；一第二電容介電層，設置在第一多晶硅電極上；一第二多晶硅電極，設置在第二電容介電層上；一第三多晶硅電極，設置在鄰近第二多晶硅電極的第一側壁；一第三電容介電層，設置在第三多晶硅電極和第二多晶硅電極之間；一第四多晶硅電極，設置在鄰近第二多晶硅電極的第二側壁；以及一第四電容介電層，設置在第四多晶硅電極和第二多晶硅電極之間。

本發明授權多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器，其特征在于，包含： 半導體基底，其上具有電容形成區域； 第一電容介電層，設置在該電容形成區域上； 第一多晶硅電極，設置在該第一電容介電層上； 第二電容介電層，設置在該第一多晶硅電極上； 第二多晶硅電極，設置在該第二電容介電層上，其中該第一多晶硅電極包含接觸部，該接觸部突出超過該第二多晶硅電極的端面； 第三多晶硅電極，設置在鄰近該第二多晶硅電極的第一側壁，其中該第三多晶硅電極面對該第一多晶硅電極的第三側壁； 第三電容介電層，設置在該第三多晶硅電極和該第二多晶硅電極之間； 第四多晶硅電極，設置為鄰近于該第二多晶硅電極的第二側壁，其中該第二側壁和該第一側壁是相對的；以及 第四電容介電層，設置在該第四多晶硅電極與該第二多晶硅電極之間，其中，該第一多晶硅電極、該第三多晶硅電極和該第四多晶硅電極電連接至陽極，該第二多晶硅電極電連接至陰極，又其中，該第三多晶硅電極、該第三電容介電層和該第二多晶硅電極構成第一電容，該第一多晶硅電極、該第二電容介電層和該第二多晶硅電極構成第二電容，第二多晶硅電極、該第四電容介電層和該第四多晶硅電極構成第三電容，離子阱設置在該電容形成區域內并且電連接至該陰極，又其中，該第三多晶硅電極、該第一電容介電層和該離子阱構成第四電容，該第一多晶硅電極、第一電容介電層和該離子阱構成第五電容。

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