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龍圖騰網獲悉深圳安培龍科技股份有限公司申請的專利基于SOI的低零漂壓力芯片高效制備方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120257748B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510736419.1，技術領域涉及：G06F30/23；該發明授權基于SOI的低零漂壓力芯片高效制備方法及系統是由陳君杰;李嘉欣;楚國富;何江濤設計研發完成，并于2025-06-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于SOI的低零漂壓力芯片高效制備方法及系統在說明書摘要公布了：本發明涉及芯片制備技術領域，揭露了一種基于SOI的低零漂壓力芯片高效制備方法及系統，包括：分析現有制備材料對應的材料性能參數，從預設材料庫中篩選出現有制備材料對應的協同制備材料；對壓力芯片進行有限元仿真處理，得到壓力芯片仿真模型，計算壓力芯片仿真模型對應的結構撓曲度；配置壓力芯片的模擬環境條件，計算壓力芯片仿真模型對應的零點漂移離散度；計算出壓力芯片仿真模型對應的芯片溫漂系數；從協同制備材料和現有制備材料中確定壓力芯片對應的高效制備材料，對芯片制備路徑進行參數優化，得到低零漂制備路徑，執行對壓力芯片的制備處理，得到芯片成品。本發明可以提高SOI的低零漂壓力芯片的制備效率。

本發明授權基于SOI的低零漂壓力芯片高效制備方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種基于SOI的低零漂壓力芯片高效制備方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取低零漂壓力芯片的現有制備材料和芯片制備路徑，分析所述現有制備材料對應的材料性能參數，基于所述材料性能參數，從預設材料庫中篩選出所述現有制備材料對應的協同制備材料； 結合所述現有制備材料、所述協同制備材料，對所述壓力芯片進行有限元仿真處理，得到壓力芯片仿真模型，計算所述壓力芯片仿真模型對應的結構撓曲度； 查詢所述壓力芯片的芯片工作環境，基于所述芯片工作環境，配置所述壓力芯片的模擬環境條件，在所述模擬環境條件下，對所述壓力芯片仿真模型進行零點測試，得到零點測試值，基于所述零點測試值，計算所述壓力芯片仿真模型對應的零點漂移離散度； 對所述壓力芯片仿真模型進行溫度特性測試處理，得到溫度響應值，基于所述溫度響應值，計算出所述壓力芯片仿真模型對應的芯片溫漂系數，其中，所述基于所述溫度響應值，計算出所述壓力芯片仿真模型對應的芯片溫漂系數，包括： 構建所述溫度響應值對應的溫度響應散點圖，對所述溫度響應散點圖進行線性擬合處理，得到溫度響應擬合曲線； 對所述溫度響應擬合曲線進行平滑處理，得到平滑溫度響應曲線； 基于所述平滑溫度響應曲線，構建所述壓力芯片仿真模型對應的溫度響應擬合方程； 調度所述壓力芯片的歷史溫度響應數據，基于所述歷史溫度響應數據，對所述溫度響應擬合方程進行方程修正，得到目標溫度響應方程； 對所述目標溫度響應方程進行求導處理，得到所述壓力芯片仿真模型對應的溫度靈敏方程； 基于所述溫度響應值，確定所述壓力芯片仿真模型對應的溫度區間； 基于所述溫度區間，利用所述溫度靈敏方程計算出所述壓力芯片仿真模型對應的芯片溫漂系數； 結合所述結構撓曲度、所述零點漂移離散度及所述芯片溫漂系數，從所述協同制備材料和所述現有制備材料中確定所述壓力芯片對應的高效制備材料，對所述芯片制備路徑進行參數優化，得到低零漂制備路徑，結合所述高效制備材料和所述低零漂制備路徑，執行對所述壓力芯片的制備處理，得到芯片成品。

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