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龍圖騰網獲悉季華實驗室申請的專利一種具有高偏振敏感度的有機突觸器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120224901B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510701525.6，技術領域涉及：H10K30/20；該發明授權一種具有高偏振敏感度的有機突觸器件及其制備方法是由董美秋;董克燕;張鈺;楊興龍設計研發完成，并于2025-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有高偏振敏感度的有機突觸器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有高偏振敏感度的有機突觸器件及其制備方法，屬于光電材料與神經形態計算技術領域，該器件由底往上包括第一固相基底、捕獲層和有源層，有源層包括均與捕獲層接觸的第一二維有機分子晶體膜和第二二維有機分子晶體膜，第二二維有機分子晶體膜部分疊于第一二維有機分子晶體膜上構成Ⅱ型能帶異質結，第一二維有機分子晶體膜表面設置有第一電極，第二二維有機分子晶體膜上設置有第二電極。該器件成功突破了二維半導體材料的本征各向異性限制，不僅顯著降低了器件噪聲，還大幅增強了光響應強度與偏振探測能力。

本發明授權一種具有高偏振敏感度的有機突觸器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有高偏振敏感度的有機突觸器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在第一固相基底上制備捕獲層； 在第一液相基底上制備面積小于所述捕獲層的第一二維有機分子晶體膜，在第二液相基底上制備面積小于所述捕獲層的第二二維有機分子晶體膜； 將所述第一二維有機分子晶體膜轉移到所述捕獲層上； 將所述第二二維有機分子晶體膜轉移到所述捕獲層上，以使得所述第一二維有機分子晶體膜與所述第二二維有機分子晶體膜形狀相交并形成Ⅱ型能帶異質結； 在所述第一二維有機分子晶體膜和所述第二二維有機分子晶體膜表面分別制備電極，得到所述具有高偏振敏感度的有機突觸器件； 所述在所述第一二維有機分子晶體膜和所述第二二維有機分子晶體膜表面分別制備電極的步驟之前，還包括步驟： 在第三液相基底上制備面積小于所述第一二維有機分子晶體膜的第三二維有機分子晶體膜； 轉移所述第三二維有機分子晶體膜到所述第一固相基底，以使第三二維有機分子晶體膜部分疊置于所述第二二維有機分子晶體膜上，余下部分疊置于所述第一二維有機分子晶體膜上，使得所述第三二維有機分子晶體膜與所述第二二維有機分子晶體膜形成另一Ⅱ型能帶異質結； 所述電極包括與所述第二二維有機分子晶體膜接觸的第二電極，以及既與所述第一二維有機分子晶體膜接觸又與所述第三二維有機分子晶體膜接觸的第一電極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人季華實驗室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區桂城街道環島南路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。