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龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學申請的專利一種GaN HEMT直流I-V溫度模型建立方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114741836B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210137378.0，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權一種GaN HEMT直流I-V溫度模型建立方法是由劉艷;黃昌洋;程知群;王濤;陳思敏設計研發完成，并于2022-02-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種GaN HEMT直流I-V溫度模型建立方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于全局敏感參數的GaNHEMT直流I?V溫度模型建立方法，首先選定一個GaNHEMT直流I?V常溫模型，通過非線性擬合確定每個溫度下的擬合參數，然后計算每個參數的全局敏感參數并選擇相對敏感的參數，然后建立敏感參數與溫度之間的關系，最后替換GaNHEMT直流I?V常溫模型中的常量，以建立GaNHEMT直流I?V溫度模型。通過該方法，可以準確的判斷在溫度模型中哪些參數受溫度影響較大，通過使用多項式構建這些參數與溫度之間的關系，然后代入直流I?V常溫模型，由此建立高精度的GaNHEMT直流I?V溫度模型。

本發明授權一種GaN HEMT直流I-V溫度模型建立方法在權利要求書中公布了：1.一種GaNHEMT直流I-V溫度模型建立方法，其特征在于，包括： 建立初始GaNHEMT直流I-V常溫模型； 獲取所述初始GaNHEMT直流I-V常溫模型在多個溫度下的擬合參數值； 計算每個所述擬合參數的全局溫度敏感參數值； 選擇待溫度化的參數，并確定為溫度敏感參數； 建立所述溫度敏感參數與溫度之間的關系方程，并分別進行非線性擬合； 將所述溫度敏感參數與溫度之間的關系方程代入所述初始GaNHEMT直流I-V常溫模型，得到優化后GaNHEMT直流I-V溫度模型； 其中，所述初始GaNHEMT直流I-V常溫模型為： 其中，a1、n為經驗參數，Vt0為閾值電壓，b0是決定Ids_output達到飽和時的電壓調制參數，用來表征陷阱效應； 在所述計算每個所述擬合參數的全局溫度敏感參數值的步驟中，所述溫度敏感參數定義為： 其中，a為某個所述擬合參數的擬合結果，Δa為所述擬合參數的變化量，I為漏源電壓，為測試數據中柵源電壓Vgs的樣本點數，為測試數據中漏源電壓Vds的樣本點數，為溫度T的樣本點數； 在所述選擇待溫度化的參數，并確定為溫度敏感參數步驟中，確定的所述溫度敏感參數包括a1、Vt0和n； 所述溫度敏感參數與溫度之間的關系方程包括： 所述優化后GaNHEMT直流I-V溫度模型為：

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