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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣州集成電路技術(shù)研究院有限公司申請的專利FinFET器件及其鰭片切割方法和電子裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114695119B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011613015.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)FinFET器件及其鰭片切割方法和電子裝置是由吳旭升設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本FinFET器件及其鰭片切割方法和電子裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種用于FinFET器件的鰭片切割方法及由此形成的FinFET器件和電子裝置。本發(fā)明提供的用于FinFET器件的鰭片切割方法，在進行切割之前，在基板的上表面的偽鰭結(jié)構(gòu)區(qū)域形成多個填充有硅褚化合物的填充區(qū)；然后在包含多個填充區(qū)的基板上形成多個鰭結(jié)構(gòu)；最后去除底部包含有填充區(qū)材料的偽鰭結(jié)構(gòu)；由于填充區(qū)材料對硅有很高的刻蝕選擇性，所以可以從底部移除偽鰭結(jié)構(gòu)；此外，由于是自對準過程，因此，沒有鰭結(jié)構(gòu)殘留和丟失的風(fēng)險。

本發(fā)明授權(quán)FinFET器件及其鰭片切割方法和電子裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于FinFET器件的鰭片切割方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供一包括偽鰭結(jié)構(gòu)區(qū)域和有源鰭結(jié)構(gòu)區(qū)域的基板； 在基板的上表面的偽鰭結(jié)構(gòu)區(qū)域形成多個填充區(qū)； 在所述包含填充區(qū)的基板上形成多個鰭結(jié)構(gòu)，所述鰭結(jié)構(gòu)包括偽鰭結(jié)構(gòu)和有源鰭結(jié)構(gòu)； 采用自對準技術(shù)僅去除所述偽鰭結(jié)構(gòu)底部的填充區(qū)材料，從而去除整體的偽鰭結(jié)構(gòu)； 其中，所述形成多個鰭結(jié)構(gòu)的步驟包括： 在所述基板的上方生長硅層； 在硅層上方形成多個圖案化掩膜； 通過多個圖案化掩膜對所述包含多個填充區(qū)的基板和硅層進行蝕刻處理，以形成多個鰭結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廣州集成電路技術(shù)研究院有限公司，其通訊地址為：511300 廣東省廣州市增城區(qū)寧西街創(chuàng)新大道16號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。