阜時科技有限公司呂晨晉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉阜時科技有限公司申請的專利一種光電傳感器、光電檢測裝置和電子設備獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223246973U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202521102091.X,技術領域涉及:H10F39/00;該實用新型一種光電傳感器、光電檢測裝置和電子設備是由呂晨晉;高關且;劉德勝設計研發完成,并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光電傳感器、光電檢測裝置和電子設備在說明書摘要公布了:本新型提供光電傳感器、光電檢測裝置和電子設備。光電傳感器包括沿豎直方向具有相對的第一表面及第二表面的二極管基材、設置在二極管基材內的多個雪崩像素單元及用于隔離雪崩像素單元的隔離結構。隔離結構包括深槽隔離層及淺槽絕緣層。雪崩像素單元包括中心電極、邊緣電極、中心摻雜結構及邊緣摻雜結構。中心摻雜結構中與邊緣摻雜結構摻雜類型不同的部分沿豎直向形成雪崩區。中心摻雜結構與邊緣摻雜結構沿水平方向形成保護環,邊緣摻雜結構靠近淺槽絕緣層設置且通過淺槽絕緣層與深槽隔離層電性隔離。
本實用新型一種光電傳感器、光電檢測裝置和電子設備在權利要求書中公布了:1.一種光電傳感器,其特征在于,包括: 二極管基材,其中,所述二極管基材沿豎直方向具有相對的第一表面以及第二表面; 設置在所述二極管基材內的多個雪崩像素單元以及用于隔離所述雪崩像素單元的隔離結構; 所述隔離結構包括深槽隔離層以及淺槽絕緣層,其中,所述淺槽絕緣層沿豎直方向形成在所述深槽隔離層上而靠近所述第二表面,所述淺槽絕緣層到所述第二表面的距離大于電極形成深度,所述淺槽絕緣層在水平方向的尺寸不大于所述深槽隔離層在水平方向的尺寸; 所述雪崩像素單元包括中心電極、邊緣電極、中心摻雜結構以及邊緣摻雜結構;其中,所述中心電極以及所述邊緣電極設置在所述第二表面,所述中心摻雜結構與所述邊緣摻雜結構沿豎直方向從所述第二表面向所述二極管基材內部延伸且沿水平方向在所述二極管基材內分離,所述中心摻雜結構與所述中心電極電性連接,所述邊緣電極沿著隔離結構的延伸方向設置在邊緣摻雜結構上; 所述中心摻雜結構中與所述邊緣摻雜結構摻雜類型不同的部分沿豎直方向形成雪崩區,所述中心摻雜結構與所述邊緣摻雜結構之間沿水平方向形成保護環;所述邊緣摻雜結構靠近所述淺槽絕緣層設置且通過所述淺槽絕緣層與所述深槽隔離層電性隔離。
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