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龍圖騰網獲悉西湖儀器(杭州)技術有限公司申請的專利一種SiC晶錠的小面檢測方法及處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120064245B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510549512.1，技術領域涉及：G01N21/65；該發明授權一種SiC晶錠的小面檢測方法及處理方法是由朱佳凱;劉峰江;劉東立;俞小英設計研發完成，并于2025-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種SiC晶錠的小面檢測方法及處理方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種SiC晶錠的小面檢測方法及處理方法。SiC晶錠的小面檢測方法包括，建立Δω?n線性模型；通過Δω?n線性模型確定摻雜濃度nij，將這些摻雜濃度nij、檢測圖像、以及對應的XY坐標位置相關聯，構建工件表面層的摻雜濃度分布圖；SiC晶錠的處理方法包括，基于摻雜濃度分布圖、以及預設的n?P曲線模型，將這些激光加工功率Pij、檢測圖像、以及對應的XY坐標位置相關聯，構建工件改質層的功率分布圖；將加工激光束聚焦于工件的預定深度而進行內部改質，得到帶有改質層的碳化硅工件。本發明具有提高晶錠摻雜濃度的檢測精度、受異常值影響小、實現無損精準小面檢測、提高加工一致性、降低改質層材料損耗的效果。

本發明授權一種SiC晶錠的小面檢測方法及處理方法在權利要求書中公布了：1.一種SiC晶錠的處理方法，其特征在于：包括以下步驟， S1提供一個碳化硅工件，根據小面檢測方法構建所述工件表面層的摻雜濃度分布圖； S2基于所述S1得到的摻雜濃度分布圖、以及預設的摻雜濃度n和激光加工功率P之間的n-P曲線模型，確定所述工件表面層上不同檢測點的激光加工功率Pij，并將這些激光加工功率Pij、檢測圖像、以及對應的XY坐標位置相關聯，構建所述工件改質層的功率分布圖； S3基于所述S2得到的功率分布圖，將加工激光束聚焦于所述工件的預定深度而進行內部改質，并使所述工件和聚焦點近似地在XY方向上相對移動，得到帶有改質層的碳化硅工件； 所述小面檢測方法包括以下步驟， S11提供多個不同摻雜濃度n的碳化硅標準品，獲取這些標準品的拉曼特征峰頻率ωn，以其中一個標準品的拉曼特征峰頻率ωn為基準作差值計算，并確定相對拉曼頻移Δω，進而基于最小二乘法建立相對拉曼頻移Δω與摻雜濃度n的Δω-n線性模型； S12提供一個碳化硅工件，基于預設的拉曼檢測掃描路徑，獲取所述工件表面層上不同檢測點的拉曼特征峰頻率ωi、檢測圖像、以及垂直于所述工件高度方向的XY平面上的XY坐標位置（Xi，Yj），進而通過所述Δω-n線性模型確定摻雜濃度nij，并將這些摻雜濃度nij、檢測圖像、以及對應的XY坐標位置相關聯，構建所述工件表面層的摻雜濃度分布圖。

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