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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利字線驅(qū)動(dòng)器、字線驅(qū)動(dòng)器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115623775B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110790430.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)字線驅(qū)動(dòng)器、字線驅(qū)動(dòng)器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由池性洙;張鳳琴;金書(shū)延設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本字線驅(qū)動(dòng)器、字線驅(qū)動(dòng)器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明實(shí)施例提供一種字線驅(qū)動(dòng)器、字線驅(qū)動(dòng)器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，字線驅(qū)動(dòng)器包括：第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，柵極用于接收第一控制信號(hào)，源極用于接收第二控制信號(hào)，漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第零NMOS管的柵極用于接收第二控制互補(bǔ)信號(hào)，所述第零NMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極用于與字線連接；其中，所述字線具有第一延伸方向，所述第零PMOS管、所述第零NMOS管和所述第一NMOS管在所述第一延伸方向上并排設(shè)置。本發(fā)明實(shí)施例有利于提升字線驅(qū)動(dòng)器的電學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)字線驅(qū)動(dòng)器、字線驅(qū)動(dòng)器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種字線驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，包括： 第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，柵極用于接收第一控制信號(hào)，源極用于接收第二控制信號(hào)，漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第零NMOS管的柵極用于接收第二控制互補(bǔ)信號(hào)，所述第零NMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極用于與字線連接； 其中，所述字線具有第一延伸方向，所述第零PMOS管、所述第零NMOS管和所述第一NMOS管在所述第一延伸方向上并排設(shè)置； 所述第零PMOS管的溝道和所述第一NMOS管的溝道具有第二延伸方向，所述第二延伸方向垂直于所述第一延伸方向。

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