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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利量子點(diǎn)器件、其制造方法和電子設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113258012B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110183999.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K50/115；該發(fā)明授權(quán)量子點(diǎn)器件、其制造方法和電子設(shè)備是由尹園植;韓文奎;金光熙;李熙在;張銀珠;金泰亨;章效淑設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本量子點(diǎn)器件、其制造方法和電子設(shè)備在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：公開(kāi)了量子點(diǎn)器件、其制造方法和電子設(shè)備，所述量子點(diǎn)器件包括第一電極和第二電極、設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的量子點(diǎn)層、設(shè)置在所述量子點(diǎn)層和所述第二電極之間并且包括第一無(wú)機(jī)納米顆粒和第一有機(jī)材料的電子傳輸層、以及設(shè)置在所述電子傳輸層和所述第二電極之間并且包括第二無(wú)機(jī)納米顆粒和第二有機(jī)材料的電子注入層，其中所述電子注入層中的所述第二有機(jī)材料的量對(duì)所述第二無(wú)機(jī)納米顆粒和所述第二有機(jī)材料的總量的按重量計(jì)的比率小于所述電子傳輸層中的所述第一有機(jī)材料的量對(duì)所述第一無(wú)機(jī)納米顆粒和所述第一有機(jī)材料的總量的按重量計(jì)的比率。

本發(fā)明授權(quán)量子點(diǎn)器件、其制造方法和電子設(shè)備在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.量子點(diǎn)器件，包括 第一電極和第二電極， 在所述第一電極和所述第二電極之間的量子點(diǎn)層， 在所述量子點(diǎn)層和所述第二電極之間的電子傳輸層，所述電子傳輸層包括第一無(wú)機(jī)納米顆粒和第一有機(jī)材料，以及 在所述電子傳輸層和所述第二電極之間的電子注入層，所述電子注入層包括第二無(wú)機(jī)納米顆粒和第二有機(jī)材料， 其中所述電子注入層中的所述第二有機(jī)材料的量對(duì)所述第二無(wú)機(jī)納米顆粒和所述第二有機(jī)材料的總量的按重量計(jì)的比率小于所述電子傳輸層中的所述第一有機(jī)材料的量對(duì)所述第一無(wú)機(jī)納米顆粒和所述第一有機(jī)材料的總量的按重量計(jì)的比率， 所述第一無(wú)機(jī)納米顆粒為由Zn1-xQxO表示的金屬氧化物納米顆粒，其中Q為排除Zn的至少一種金屬，且0≤x0.5。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國(guó)京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。