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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣州集成電路技術(shù)研究院有限公司申請(qǐng)的專利硬掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法、半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114695090B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011592338.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)硬掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法、半導(dǎo)體器件是由汪金寶;許祖榮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-29向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本硬掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法、半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提出了一種硬掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法、半導(dǎo)體器件；所述硬掩模結(jié)構(gòu)包括蝕刻阻擋層100，覆蓋在蝕刻阻擋層100上的金屬硬掩模層200以及覆蓋在金屬硬掩模層200上的至少一層緩沖層300；所述緩沖層300采用Si、SiC、SiCN、SiOC、SiOCN以及SiN中至少一種制成。本發(fā)明的硬掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法、半導(dǎo)體器件通過采用在金屬硬掩模層上覆蓋形成緩沖層，避免金屬硬掩模層遭受損傷，以此解決第一凹槽錯(cuò)配的問題。

本發(fā)明授權(quán)硬掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法、半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種硬掩模結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硬掩模結(jié)構(gòu)包括蝕刻阻擋層100，覆蓋在蝕刻阻擋層100上的金屬硬掩模層200以及覆蓋在金屬硬掩模層200上的至少一層緩沖層300； 所述緩沖層300采用Si、SiC、SiCN、SiOC、SiOCN以及SiN中至少一種制成； 所述金屬硬掩模層200為TiN層； 所述緩沖層300的厚度大于 所述硬掩模結(jié)構(gòu)還包括覆蓋在緩沖層300上的帽層，所述帽層與緩沖層300的蝕刻選擇比大于3； 所述硬掩模結(jié)構(gòu)滿足如下特征： DcDb≤S 其中，Dc為過蝕刻時(shí)帽層蝕刻的厚度相當(dāng)量；Db為緩沖層厚度；S為帽層和緩沖層300的蝕刻選擇比。

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