欣興電子股份有限公司林溥如獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉欣興電子股份有限公司申請的專利芯片封裝結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695283B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011584370.6，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權芯片封裝結構及其制作方法是由林溥如;楊凱銘;柯正達設計研發完成，并于2020-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本芯片封裝結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種芯片封裝結構及其制作方法。芯片封裝結構包括芯片、應力緩沖層、第一絕緣層、重配置線路層、第二絕緣層及焊球。芯片具有主動面、背面及周圍表面。應力緩沖層覆蓋主動面與周圍表面，而第一絕緣層配置于芯片的背面上。應力緩沖層的底面切齊于芯片的背面。重配置線路層通過應力緩沖層的開口與芯片電性連接。第二絕緣層覆蓋應力緩沖層以及重配置線路層。焊球配置于第二絕緣層的盲孔內，且與重配置線路層電性連接。焊球的頂面突出于第二絕緣層的上表面。本發明的芯片封裝結構可有效地保護芯片的邊緣，且增加整體的結構強度及結構可靠度。
本發明授權芯片封裝結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括： 芯片，具有彼此相對的主動面與背面以及連接所述主動面與所述背面的周圍表面； 應力緩沖層，覆蓋所述芯片的所述主動面與所述周圍表面，且具有暴露出所述芯片的部分所述主動面的開口； 第一絕緣層，配置于所述芯片的所述背面上，其中所述應力緩沖層延伸配置于所述第一絕緣層上，且所述應力緩沖層的底面切齊于所述芯片的所述背面； 重配置線路層，配置于所述芯片的所述主動面上，且延伸至所述應力緩沖層的所述開口內，所述重配置線路層通過所述開口與所述芯片電性連接； 第二絕緣層，覆蓋位于所述芯片的所述周圍表面上的所述應力緩沖層以及所述重配置線路層，且具有暴露出部分所述重配置線路層的盲孔；以及 焊球，配置于所述第二絕緣層的所述盲孔內，且與所述重配置線路層電性連接，所述焊球的頂面突出于所述第二絕緣層的上表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人欣興電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣桃園市龜山區山鶯路179號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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