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龍圖騰網(wǎng)獲悉埃克隆德創(chuàng)新公司申請的專利包括與場效應(yīng)晶體管串聯(lián)的絕緣柵場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114868254B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080073907.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)包括與場效應(yīng)晶體管串聯(lián)的絕緣柵場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件是由K-H·?？寺〉?L·韋斯特林設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-08-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本包括與場效應(yīng)晶體管串聯(lián)的絕緣柵場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體器件，包括與場效應(yīng)晶體管2FET串聯(lián)的絕緣柵場效應(yīng)晶體管1，其中，F(xiàn)ET2包括若干平行導(dǎo)電層n1?n5，p1?p4，并且其中，第一導(dǎo)電類型的襯底11布置為半導(dǎo)體器件的基底，從而在兩個晶體管1，2下方延伸，第二導(dǎo)電類型的第一層n1布置為在襯底11上方延伸，其中，在所述第一層n1的頂部布置有具有溝道的若干導(dǎo)電層，所述溝道由若干第二導(dǎo)電類型摻雜的外延層n2?n4形成，所述第二導(dǎo)電類型摻雜的外延層n2?n4的兩側(cè)具有第一導(dǎo)電類型的層p1?p4，其中，所述器件的最上層p5優(yōu)選地比直接在表面下的若干平行導(dǎo)電層p1?p4，n1?n4實質(zhì)上更厚，場效應(yīng)晶體管2JFET在JFET的源極側(cè)通過第二導(dǎo)電類型的深多晶硅溝槽DNPT22隔開，絕緣柵場效應(yīng)晶體管1通過兩側(cè)的第一導(dǎo)電類型的深多晶硅溝槽DPPT22，23隔開，包括邏輯和模擬控制功能的另一隔開的區(qū)域5通過兩側(cè)的第一導(dǎo)電類型的深多晶硅溝槽DPPT23，24隔開。

本發(fā)明授權(quán)包括與場效應(yīng)晶體管串聯(lián)的絕緣柵場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其包括： 絕緣柵場效應(yīng)晶體管，其與高壓JFET串聯(lián)， 其中，高壓JFET包括若干平行導(dǎo)電層， 其特征在于， 第一導(dǎo)電類型的襯底布置為半導(dǎo)體器件的基底，從而在兩個晶體管下方延伸， 第二導(dǎo)電類型的第一層布置為在襯底上方延伸， 其中，在所述第一層的頂部布置有具有溝道的若干平行導(dǎo)電層，所述溝道由若干第二導(dǎo)電類型摻雜的外延層形成，所述第二導(dǎo)電類型摻雜的外延層的兩側(cè)具有第一導(dǎo)電類型的層， 其中，所述器件的最上層是第一導(dǎo)電類型的并且實質(zhì)上比直接位于下方的若干平行導(dǎo)電層更厚，并且在器件的表面具有第二導(dǎo)電類型的掩蔽注入的層，從而覆蓋最上層的頂部，所述掩蔽注入的層與JEFT的源極的接觸區(qū)域和漏極的接觸區(qū)域連接， 高壓JFET在JFET的源極側(cè)通過第一導(dǎo)電類型的深多晶硅溝槽隔開，所述第一導(dǎo)電類型的深多晶硅溝槽與第一導(dǎo)電類型的若干平行導(dǎo)電層連接， 絕緣柵場效應(yīng)晶體管通過兩側(cè)的第一導(dǎo)電類型的深多晶硅溝槽隔開， 包括邏輯和模擬控制功能的另一隔開的區(qū)域通過兩側(cè)的第一導(dǎo)電類型的深多晶硅溝槽隔開。

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