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龍圖騰網(wǎng)獲悉天津三安光電有限公司申請的專利一種半導體發(fā)光元件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114864775B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210643784.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/82；該發(fā)明授權(quán)一種半導體發(fā)光元件及其制備方法是由鄭宏;張東炎;湯國梁;李慧文;金超;潘冠甫;王篤祥設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-07-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導體發(fā)光元件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導體發(fā)光元件，包括半導體外延疊層，具有第一表面和與第一表面相對的第二表面以及連接第一表面和第二表面的側(cè)壁，包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層和位于第一導電型半導體層和第二導電型半導體層之間的活性層；所述第二導電型半導體層側(cè)壁的粗糙度大于活性層側(cè)壁的粗糙度。本發(fā)明通過兩步蝕刻法對所述半導體外延疊層的側(cè)壁進行分段蝕刻，可有效改善側(cè)壁粗化引起的漏電問題。

本發(fā)明授權(quán)一種半導體發(fā)光元件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體發(fā)光元件，包含： 一基板； 半導體外延疊層，位于所述基板上，具有第一表面和與第一表面相對的第二表面以及連接第一表面和第二表面的側(cè)壁，包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層和位于第一導電型半導體層和第二導電型半導體層之間的活性層，所述第二導電型半導體層遠離活性層的一側(cè)為出光面； 所述第二導電型半導體層遠離活性層的上表面具有不平整的結(jié)構(gòu)； 電介質(zhì)層，位于所述第一導電型半導體層遠離活性層的一側(cè)，具有多個開口暴露所述第一導電型半導體層； 歐姆接觸層，填充所述電介質(zhì)層的開口； 反射層，設(shè)置在所述電介質(zhì)層遠離所述半導體外延疊層的一側(cè)； 其特征在于：所述電介質(zhì)層的折射率小于所述半導體外延疊層的折射率，所述電介質(zhì)層的導電性小于反射層的導電性；所述第二導電型半導體層側(cè)壁的粗糙度大于活性層側(cè)壁的粗糙度；所述第二導電型半導體層側(cè)壁的粗糙度和活性層側(cè)壁粗糙度的比例為20:1~500:1。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人天津三安光電有限公司，其通訊地址為：300384 天津市西青區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)海泰南道20號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。